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J-GLOBAL ID：202202262286636162   整理番号：22A1186288

有限空間における立方結晶成長のモデリング解析【JST・京大機械翻訳】

Modeling analysis of the growth of a cubic crystal in a finite space

著者 (1件)： Yang Fuqian (Materials Program, Department of Chemical and Materials Engineering, University of Kentucky, Lexington, KY 40506, USA. [e-mail])
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 16  ページ： 9411-9417  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクスにおける半導体ナノ結晶の応用は量子閉じ込めのユニークな特性に基づいている。ナノ結晶のサイズの制御を通して,オプトエレクトロニックナノデバイスとシステムの性能を調整する大きな関心が寄せられている。本研究では,拡散制限成長および反応制限成長の複合効果を考慮した,液体溶液中の結晶/粒子の成長に対する一般的数学的定式化を開発し,そして,温度の連続的変化を伴う溶媒および等容成長の3つの異なるシナリオ,等温および等容条件,等温成長,および/または,等温成長の3つの異なるシナリオの下で成長した立方晶結晶のサイズに対する成長方程式を定式化した。等温および等容条件下の立方晶結晶の成長に対して,3つの成長段階,線形成長,非線形成長およびプラトーがあり,そして,線形成長の段階における成長速度および立方結晶の最終的サイズは,過飽和度に依存した。結晶サイズのGauss分布を有する多結晶の成長に対して,液体溶液中の単量体濃度の変化は平均サイズの変化速度及び結晶サイズの標準偏差に依存する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶成長 ,  正規分布 ,  標準偏差 ,  *成長 ,  長さ ,  多結晶 ,  オプトエレクトロニクス ,  立方晶系 ,  成長段階 ,  定式化 ,  成長速度 ,  量子閉込め ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： 過飽和度 ,  半導体ナノ結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  反応工学,反応速度論  (XE01020M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶成長 ,  モデリング ,  解析