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J-GLOBAL ID:202202262321788770   整理番号:22A1160451

アリールジアゾニウム塩による表面修飾による導電性MoS_2薄膜の化学的および機械的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the Chemical and Mechanical Properties of Conductive MoS2 Thin Films by Surface Modification with Aryl Diazonium Salts
著者 (7件):
資料名:
巻: 38  号: 12  ページ: 3666-3675  発行年: 2022年 
JST資料番号: A0231B  ISSN: 0743-7463  CODEN: LANGD5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二硫化モリブデン(MoS_2)は,センサ,エネルギー貯蔵,エネルギー変換デバイス,太陽電池,および燃料電池への応用のための有望な材料である。これらの応用の多くは導電性材料を必要とするので,最近,簡単で安全な方法で希薄過酸化水素を用いてMoS_2(c-MoS_2)の導電性型を調製する方法を開発した。ここでは,ジアゾニウム化学を用いてc-MoS_2薄膜の化学的および機械的表面特性の調節を検討した。電子吸引基のためのジアゾニウム塩によるc-MoS_2の直接不動態化戦略に加えて,電子供与基による修飾のための新規なin situ合成経路を提案した。得られた結果をRaman分光法とX線光電子分光法により調べた。種々の金属カチオン(Fe2+,Zn2+,Cu2+,およびCo2+)の水溶液にそれらを曝露し,化学抵抗応答を検出することによって,純粋および官能化c-MoS_2膜の表面不動態化の程度を試験した。元の膜はいくつかのカチオンと相互作用することが分かったが,改質膜はそうではなかった。表面電荷移動機構が元の膜の化学抵抗応答の原因であるが,両修飾ルートは完全な表面不動態化に成功した。また,官能化は,半導体2H-MoS_2の摩擦係数を低下させるが,全ての導電性材料(修飾あるいは非)も摩擦係数が低いことが分かった。これは,改善された化学的安定性と調整可能な導電性を有する乾燥潤滑剤材料のパレットへの経路を開く。このように,in situおよび直接ジアゾニウム化学は,導電性MoS_2に基づく新しいデバイスおよび潤滑剤のための導電性MoS_2の化学的および機械的特性を調整するための強力なツールである。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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