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J-GLOBAL ID：202202262384419121   整理番号：22A0958268

シリセンにおける高調波発生(HHG)【JST・京大機械翻訳】

High-harmonic generation (HHG) in silicene

著者 (4件)： Summueang C (Department of Physics, Faculty of Science, Kasetsart University) ,  Fudulwatjananon T (Department of Physics, Faculty of Science, Kasetsart University) ,  Boonchui S (Department of Physics, Faculty of Science, Kasetsart University) ,  Boonchui S (Center of Rubber and Polymer Materials in Agriculture and Industry (RPM), Faculty of Science Kasetsart University, Thailand)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 1234  号： 1  ページ： 012033 (4pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)ハニカム格子構造を有する新たに分離したシリコン同素体であるシリセンは,グラフェンに匹敵する電気的性質を有することが期待される。シリセン上の特定の外部電気適用を考慮して,高高調波発生(HHG)効果とその因子を調べた。著者らの調査によると,外部電場は低周波発光の光学発光ピークに大きく影響する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  発光 ,  構造 ,  電気的性質 ,  *ケイ素 ,  元素 ,  LF【周波数】 ,  二次元 ,  格子 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 同素体 ,  外部電場 ,  ハニカム格子 ,  高調波発生 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリセン ,  高調波発生