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J-GLOBAL ID:202202262397270409   整理番号:22A0706534

Cu(111)箔上のミスオリエンテーションフリーグラフェンのエピタキシャル成長に向けて【JST・京大機械翻訳】

Toward Epitaxial Growth of Misorientation-Free Graphene on Cu(111) Foils
著者 (37件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 285-294  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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単結晶薄膜のエピタキシャル成長は単結晶基板のアベイラビリティとエピ層と基板の間の強い相互作用に依存する。以前の研究は,化学蒸着(CVD)成長グラフェンの配向の決定における基板(例えば,対称性と格子定数)の役割を報告し,Cu(111)はグラフェン単結晶のエピタキシャル成長のための最も有望な基板と考えられている。しかし,グラフェン配向の決定における気相反応物とグラフェン-基板相互作用の役割はまだ不明である。ここでは,微量の酸素が,グラフェンエッジとCu(111)基板との間の相互作用を増強でき,従って,核形成段階で誤配向グラフェンドメインを除去することができることを見出した。強く組織化された多結晶Cu箔に依存する,得られたCu(111)単結晶のサイズを改善するために,修正異常粒成長法を開発した。A3サイズ(~0.42×0.3m2)単結晶グラフェン膜のバッチツーバッチ生産を,自己設計パイロットスケールCVDシステムに依存するCu(111)箔上で達成した。成長したままのグラフェンは,室温で68000cm2V-1s-1,2.2Kで210000cm2V-1s-1の超高キャリア移動度を示した。本研究の知見と戦略は,高品質のミスオリエンテーションフリーグラフェン膜の大量生産を加速するであろう。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (3件):
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