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J-GLOBAL ID：202202262441802991   整理番号：22A0976760

分子半導体の伝導に及ぼす表面粗さの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of surface roughness on conduction in molecular semiconductors

著者 (3件)： Riederer P. (Photonics and Optoelectronics Group, Faculty of Physics and Center for NanoScience (CeNS), Ludwig-Maximilians-Universitaet, Koniginstr. 10, 80539 Muenchen, Germany) ,  Bouraoui M. (Photonics and Optoelectronics Group, Faculty of Physics and Center for NanoScience (CeNS), Ludwig-Maximilians-Universitaet, Koniginstr. 10, 80539 Muenchen, Germany) ,  Kersting R. (Photonics and Optoelectronics Group, Faculty of Physics and Center for NanoScience (CeNS), Ludwig-Maximilians-Universitaet, Koniginstr. 10, 80539 Muenchen, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 11  ページ： 112103-112103-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート絶縁体と半導体の間の界面粗さは,分子電界効果トランジスタのコンダクタンスを低減することが期待される。本研究では,層トポグラフィーの原子間力顕微鏡データを,チャネル領域内の電荷キャリア密度およびコンダクタンスの自己無撞着計算と組み合わせた。1つの単層に等価な粗さがコンダクタンスをほぼ50%低下させることが分かった。電流は主に半導体の第一単分子層内およびパーコレーション経路に沿って流れ,そこでは電荷が隣接単分子層間でほとんど移動しない。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  表面粗さ ,  パーコレーション ,  単一層 ,  原子間力顕微鏡 ,  コンダクタンス ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  界面粗さ ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子 ,  伝導 ,  表面粗さ