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J-GLOBAL ID：202202262451365865   整理番号：22A0230766

シリコン基板上の遷移金属フェライトの抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Resistive switching of transition metal ferrites on silicon substrate

著者 (5件)： Kumara Madhavi (Institute for Micromanufacturing, Louisiana Tech University, Ruston, LA 71272, United States) ,  Clower William (Institute for Micromanufacturing, Louisiana Tech University, Ruston, LA 71272, United States) ,  Seetala Kiran (Institute for Micromanufacturing, Louisiana Tech University, Ruston, LA 71272, United States) ,  Joffrion Joshua B. (Institute for Micromanufacturing, Louisiana Tech University, Ruston, LA 71272, United States) ,  Wilson Chester G. (Institute for Micromanufacturing, Louisiana Tech University, Ruston, LA 71272, United States)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 309  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターはフェライトとシリコン加工技術の優れた多機能メモリ特性を接合するフェライト系抵抗スイッチングデバイスの開発と特性評価について報告する。抵抗スイッチング素子のコアは,エネルギー分散X線分光法とX線回折によって確認される単一遷移金属フェライト(Co,Cu,Ni,Zn)から成る。フェライトは,加工シリコンダイ(ボトム電極/基板として作用)上にスピンコートし,銀トップ電極で堆積した。両電極は活性であり,主なレドックス反応機構(フェライトで基礎)に追加の電荷キャリアを提供し,デバイス安定性を助ける。フェライト-シリコンデバイスのキャラクタリゼーションと解析は,以前に報告したフェライト抵抗スイッチングデバイスに見られる非線形伝導機構(Schottky放出とPoole Frenkel)と同様に低抵抗状態オーム伝導を示した。追加の反応機構(空間電荷制限電流)が過剰電荷キャリアの流入による活性電極に起因することが分かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  空間電荷制限電流 ,  *遷移金属 ,  *フェライト ,  銀 ,  *ケイ素 ,  スイッチング素子 ,  酸化還元反応 ,  反応機構 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *抵抗スイッチング ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 抵抗メモリスイッチング ,  ReRAMデバイス ,  遷移金属フェライト

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  遷移金属 ,  フェライト ,  抵抗スイッチング