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J-GLOBAL ID：202202262497782293   整理番号：22A0324716

窒化ほう素を用いた熱アニーリングと表面官能化によるCsPbBr_3膜の電界放出特性の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced field emission properties of CsPbBr₃ films by thermal annealing and surface functionalization with boron nitride

著者 (9件)： Zhou SiHan (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Zhou ChunWei (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Zhu JiaYao (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Huang Han (Hunan Key Laboratory of Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, PR China) ,  Hu Fang (School of Information Science and Engineering, NingboTech University, Ningbo 315100, PR China) ,  Ye QuanLin (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Zhong JianQiang (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Yang XuXin (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China) ,  Mao HongYing (Department of Physics, Hangzhou Normal University, Hangzhou 311121, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較的低い仕事関数,高い欠陥許容度,高い電子移動度,高いアスペクト比を有する製作ナノ構造の容易さは,すべての無機セシウム鉛ハライドペロブスカイトの有望なエミッタ材料を作るが,電界放出デバイスにおける潜在的な応用に対して,ほとんど研究努力が払われていない。ここでは,熱アニーリングおよび窒化ホウ素修飾後のCsPbBr_3膜の電界放出特性の向上について報告する。成長したままのCsPbBr_3膜では,10μAcm-2の電流密度でのターンオン電場は4.0Vμm-1であり,150°Cでの熱アニーリング後に3.375Vμm-1に減少し,これは鋭いエッジと最適化されたチップ密度を有するナノスケールエミッタチップのより良い結晶性と形成に起因した。電界放出性能は,CsPbBr_3の表面移動誘起n型ドーピングに由来する窒化ホウ素による表面官能化によりさらに増強され,従って仕事関数が低下した。その結果,2.875Vμm-1の最低ターンオン電界と2518の最高増強因子を達成した。最後に,窒化ホウ素修飾後のCsPbBr_3膜の良好な放出電流安定性を実証した。放出電流変動は初期電流密度20と100μA/cm2でそれぞれ2.36%と0.56%であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  仕事関数 ,  *電界放出 ,  表面拡散 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  電流密度 ,  *窒化ホウ素 ,  *官能化 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ナノスケール ,  *熱アニーリング ,  *表面官能化 ,  ターンオン電界 ,  放出電流 ,  n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CsPbBr_3 ,  電界放出特性 ,  熱アニーリング ,  表面官能化 ,  窒化ホウ素

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化ほう素 ,  熱アニーリング ,  表面官能化 ,  電界放出 ,  増強