文献

J-GLOBAL ID：202202262521279478   整理番号：22A0388969

グルタミン官能化WS_2量子ドットにおける負性微分抵抗の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanisms of negative differential resistance in glutamine-functionalized WS₂ quantum dots

著者 (10件)： Feria Denice N (Department of Optoelectronics and Materials Technology, National Taiwan Ocean University, Keelung, 202, Taiwan) ,  Sharma Sonia (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Chen Yu-Ting (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Weng Zhi-Ying (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Chiu Kuo-Pin (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Hsu Jy-Shan (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Hsu Ching-Ling (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Yuan Chi-Tsu (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan) ,  Lin Tai-Yuan (Department of Optoelectronics and Materials Technology, National Taiwan Ocean University, Keelung, 202, Taiwan) ,  Shen Ji-Lin (Department of Physics and Center for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, 320314, Taiwan)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 7  ページ： 075203 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物における負の微分抵抗(NDR)の機構を理解することは,基本的な科学と電子デバイスの開発に不可欠である。ここでは,電流-電圧特性のNDRを,グルタミン官能化WS_2量子ドット(QDs)に基づいて観察した。NDR効果は,印加電圧範囲,空気圧力,周囲ガスおよび相対湿度を変えることによって調整できた。6.3の高いピーク対谷電流比が室温で達成された。水分子により誘導されるキャリアトラッピングは,グルタミン機能化WS_2 QDにおけるNDRの機構に関与することが示唆された。WS_2 QDのNDRを研究することは,メモリ応用と新たなデバイスの開発を促進する可能性がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  電流 ,  相対湿度 ,  電流電圧特性 ,  水分子 ,  *官能化 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 空気圧 ,  *微分抵抗 ,  印加電圧 ,  *負性微分抵抗 ,  電子素子 ,  トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： グルタミン ,  官能化 ,  量子ドット ,  負性微分抵抗