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J-GLOBAL ID：202202262716489300   整理番号：22A0491439

電流雑音スペクトルを用いて解析した有機金属ペロブスカイト単極メモリデバイスにおけるパーコレーション導電性フィラメントによる抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching by Percolative Conducting Filaments in Organometal Perovskite Unipolar Memory Devices Analyzed Using Current Noise Spectra

著者 (13件)： Ahn Heebeom (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Kang Keehoon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Korea) ,  Song Younggul (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Lee Woocheol (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Kim Jae-Keun (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Kim Junwoo (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Lee Jonghoon (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Baek Kyeong-Yoon (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Shin Jiwon (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Lim Hyungbin (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea) ,  Kim Yongjin (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Korea) ,  Lee Jae Sung (School of Physics, Korea Institute for Advanced Study (KIAS), Seoul, 02455, Korea) ,  Lee Takhee (Department of Physics and Astronomy, and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul, 08826, Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 4  ページ： e2107727  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属ハライドペロブスカイトは,それらの優れた光学的および電気的性質に加えて,抵抗メモリデバイスのための有望な材料システムとして浮上している。ハロゲン化物-ペロブスカイト抵抗メモリは低電圧と大きなオン/オフ比で動作する利点を有するが,動作電圧のランダム分布はメモリ応用の課題として残っている。この確率的操作特性は,材料の抵抗変動を引き起こす導電性フィラメントのランダム形成によるものである。したがって,導電性フィラメントの形成および溶解とそれらの構造を研究することが重要である。しかし,ナノスケールフィラメント構造の直接観察はしばしば困難である。さらに,ハロゲン化物ペロブスカイト材料における導電性フィラメントの詳細な研究はほとんど報告されていない。フラクタル構造を有するスケーリング理論を採用することにより,本研究では,電流雑音解析により有機金属ハライドペロブスカイト中に形成される導電性フィラメントの幾何学的構造と動力学を調べた。温度依存電気特性と電流雑音は導電性フィラメントの形成におけるイオン移動の役割を示す。この知見は,パーコレーション導電性フィラメントに関してペロブスカイト抵抗メモリデバイスの抵抗スイッチング現象の理解を高めることができた。したがって,スイッチングプロセスの関連する構造と動力学を制御することで,安定したメモリ操作を達成するための経路を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *電流 ,  電気的性質 ,  ハロゲン化物 ,  温度依存性 ,  イオン輸送 ,  電気特性 ,  *パーコレーション
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *電流雑音 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗変化 ,  抵抗メモリ ,  *導電性フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 1/f雑音スケーリング ,  有機金属ペロブスカイトメモリデバイス ,  パーコレーション ,  ランダム電信雑音 ,  単極抵抗メモリデバイス

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 電流雑音 ,  スペクトル ,  解析 ,  有機金属 ,  ペロブスカイト ,  極 ,  メモリデバイス ,  パーコレーション ,  導電性フィラメント ,  抵抗スイッチング