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J-GLOBAL ID：202202262724437038   整理番号：22A0433491

抵抗スイッチング信頼性を高める酸素リザーバとしての二次元van der Waals半導体の戦略的配置【JST・京大機械翻訳】

Strategic allocation of two-dimensional van der Waals semiconductor as an oxygen reservoir for boosting resistive switching reliability

著者 (13件)： Yoo Seung-Jong (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Yoo Seung-Jong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Agbenyeke Raphael Edem (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Choi Heenang (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jeon Kanghyeok (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jeon Kanghyeok (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Ryu Jin Joo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Eom Taeyong (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Park Bo Keun (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Chung Taek-Mo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jeong Doo Seok (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Song Wooseok (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Kim Gun Hwan (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology (KRICT) 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34114, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 577  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料は,固有の低次元特性によって誘起されるそれらの調整可能なユニークな異方性物理特性のために,様々な電子デバイス応用において強調される。ここでは,典型的な遷移金属酸化物ベースの抵抗スイッチングデバイスにおける酸素貯蔵層として,SnS_2の二次元層状構造を合理的に採用した。積層SnS_2/TiO_2とラメラ状SnS_2・TiO_2の抵抗スイッチング媒体は,個々のTiO_2ベースの抵抗スイッチングデバイスよりも,それぞれ100と250倍高い耐久性特性を示した。さらに,抵抗スイッチングのための動作電圧分布の特性も,SnS_2組み込みデバイスにおいて改善された均一性を示した。種々の顕微鏡分析を通して,SnS_2はその中間層中にTiO_2から移動酸素イオンを貯蔵でき,これが抵抗スイッチング特性を促進することを明らかにした。酸素リザーバ層は信頼できる抵抗スイッチングデバイスのための重要な必要条件であるが,酸素リザーバとして機能する材料の選択は,使用される特定の抵抗スイッチングシステムに依存して制限される。本研究は,2次元材料が抵抗スイッチングデバイスにおける酸素貯蔵層に対する前例のない候補であることを実証した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *半導体 ,  *信頼性 ,  *酸素 ,  スイッチング素子 ,  媒質 ,  層状組織 ,  耐久性 ,  *二次元
準シソーラス用語： 電子素子 ,  *リザーバー ,  二酸化チタン ,  *抵抗スイッチング ,  酸素イオン ,  遷移金属酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  抵抗スイッチング ,  信頼性 ,  二硫化すず ,  二酸化チタン

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗スイッチング ,  酸素 ,  リザーバ ,  VAN ,  戦略