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J-GLOBAL ID：202202262794418598   整理番号：22A0979403

2Dナノ材料ベースフォトFETアレイとCMOS時間-ディジタル変換器を不均一に集積する200×256イメージセンサ【JST・京大機械翻訳】

A 200 x 256 Image Sensor Heterogeneously Integrating a 2D Nanomaterial-Based Photo-FET Array and CMOS Time-to-Digital Converters

著者 (8件)： Hinton Henry (Harvard University,Cambridge,MA) ,  Jang Houk (Harvard University,Cambridge,MA) ,  Wu Wenxuan (Harvard University,Cambridge,MA) ,  Lee Min-Hyun (Samsung Advanced Institute of Technology,Suwon,Korea) ,  Seol Minsu (Samsung Advanced Institute of Technology,Suwon,Korea) ,  Shin Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology,Suwon,Korea) ,  Park Seongjun (Samsung Advanced Institute of Technology,Suwon,Korea) ,  Ham Donhee (Harvard University,Cambridge,MA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ISSCC  ページ： 1-3  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフォトダイオードアレイとチップ上の信号プロセッサ,またはマルチダイスタックを組込んだCMOSイメージセンサは,日常生活の不可欠な部分になった。ディジタル画像捕獲における優位性は,予測的に継続するであろうが,将来展望による研究は,CMOS信号プロセッサに置くために,シリコンフォトダイオードに代わる新しいオプトエレクトロニックデバイスを積極的に探索する。二次元(2D)半導体材料,特に,原子的に薄い遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)単分子層は,最も活発に研究されている固体材料の1つである,特にこれらの応用に対する有望な候補である[2]。ビジョンは,異なる化学組成のTMD単分子層結晶が異なるバンドギャップ,または赤外から可視までの異なる吸収波長を示すという事実から生じ,異なるバンドギャップを有するこれらの原子厚結晶は,原理的に,従来のCMOSイメージセンサで可能なものを超えて,多様なスペクトル感度を生成するように,van der Waals積層を積層できる。しかし,このビジョンにもかかわらず,MoS_2オプトエレクトロニックデバイス(光FET)から作製されたもののようなTMDアレイは,これまで32x32に限られており,CMOS信号処理チップに統合されていない。グラフェンをCMOSエレクトロニクスと統合したが,この半金属は光吸収[4]に対して量子ドットのような付加的層を使用した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線 ,  フォトダイオード ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  信号処理 ,  単分子層 ,  捕獲 ,  *二次元 ,  半金属 ,  *イメージセンサ ,  バンドギャップ ,  *ナノ材料 ,  グラフェン ,  *CMOS
準シソーラス用語： 光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： 2D ,  ナノ材料 ,  フォト ,  FET ,  アレイ ,  CMOS ,  時間-ディジタル変換器 ,  不均一 ,  集積 ,  イメージセンサ