文献

J-GLOBAL ID：202202262867039556   整理番号：22A0649006

大きな組成範囲の純相均一InAs_1-xSb_xナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

Large-Composition-Range Pure-Phase Homogeneous InAs_1-xSb_x Nanowires

著者 (12件)： Wen Lianjun (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wen Lianjun (College of Materials Sciences and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Pan Dong (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Pan Dong (College of Materials Sciences and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Lei (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Lei (College of Materials Sciences and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Tong Shucheng (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhuo Ran (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhuo Ran (College of Materials Sciences and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Jianhua (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Jianhua (College of Materials Sciences and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Jianhua (CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 13  号： 2  ページ： 598-605  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 狭いバンドギャップInAs_1-xSb_xナノワイヤは,広いスペクトル赤外検出器,高性能トランジスタおよび量子計算における応用に対して広い展望を示す。このような応用の実現は,ナノワイヤの組成と結晶構造の微細な制御を必要とする。しかし,大きな組成範囲の純粋相均一InAs_1-xSb_xナノワイヤの作製は,大きな課題のままである。ここでは,分子線エピタキシーによるSi(111)基板上の大組成範囲無茎InAs_1-xSb_xナノワイヤ(0≦x≦0.63)の成長を初めて報告した。純粋相InAs_1-xSb_xナノワイヤは,アンチモン含有量x,ナノワイヤ直径,およびナノワイヤ成長方向を制御することで首尾よく得られることを見出した。詳細なエネルギー分散スペクトルデータは,アンチモンがInAs_1-xSb_xナノワイヤの軸方向と半径方向に沿って均一に分布し,ナノワイヤ中に自発的コア-シェルナノ構造を形成しないことを示した。電界効果測定に基づいて,InAs_1-xSb_xナノワイヤは良好な伝導率を示し,その移動度は7Kで4200cm2V-1s-1に達することを確認した。本研究は,InAs_1-xSb_xナノワイヤオプトエレクトロニック,電子および量子デバイスの開発の基礎を築く。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  結晶構造 ,  赤外検出器 ,  電場効果 ,  トランジスタ ,  アンチモン ,  スペクトル ,  MBE成長 ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  *ナノワイヤ ,  量子計算 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 量子デバイス ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 組成 ,  ナノワイヤ