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J-GLOBAL ID：202202262871773932   整理番号：22A0640038

二次元アルミニウム,ホウ素およびJanusアルミニウム-ホウ素モノカルコゲナイド単分子層の圧電性【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectricity in two-dimensional aluminum, boron and Janus aluminum-boron monochalcogenide monolayers

著者 (2件)： Choopani Saeed (Physics Department, Bu-Ali Sina University, Hamedan 65174, Iran) ,  Alyoruek Mustafa Menderes (Department of Mathematics and Science Education, Kuetahya Dumlupinar University, Kuetahya 43100, Turkey)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 15  ページ： 155301 (12pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電電力は機械的エネルギーを電気エネルギーに変換する材料の特性である。GaS,GaSeおよびInSeを含むグループIIIモノカルコゲン化物は,それらの単分子層型において圧電性を示すことが知られている。これらの単分子層の圧電係数は,窒化ホウ素や二硫化モリブデン(MoS_2)単分子層のような以前に発見された二次元(2D)圧電材料と同じ桁である。ホウ素とアルミニウム(MX,M=B,Al,X=O,S,Se,Te)を含む一連の単層モノカルコゲン化物構造を考慮して,一連の誘導体Janus構造(AlBX_2,X=O,S,Se,Te)を設計した。ab-initio密度汎関数理論と密度汎関数摂動理論計算を系統的に行い,それらの構造,電子,電気機械およびフォノン分散特性を予測した。電子バンド構造分析は,これら2D材料がすべて半導体であることを示した。フォノン分散曲線における虚数フォノン周波数の欠如は,システムが動的に安定であることを示した。さらに,これらの材料は顕著な圧電特性を示す。緩和イオン圧電係数,d_11=15.89(15.87)pmV-1およびd_31=0.52(0.44)pmV-1を有するAlBO_2単分子層に対して,最も強い圧電特性を得た。それは,MoS_2やGaSeのような以前報告された非Janus単分子層構造や,また,Janus単分子層構造よりも,大きい面内および面外圧電係数を持つ。In_2SSe,Te_2Se,MoSeTe,InSeO,SbTeI,およびZrSTe。これらの結果は,多くの類似の2D系がこれまでに合成されたという事実と共に,ナノスケール電気機械応用におけるこれらの材料の大きな可能性を実証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  半導体 ,  *アルミニウム ,  *ホウ素 ,  圧電材料 ,  *単分子層 ,  *圧電気 ,  緩和現象 ,  *二次元 ,  窒化ホウ素 ,  フォノン分散 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *単一分子 ,  圧電定数 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  ホウ素 ,  カルコゲナイド ,  単分子層 ,  圧電性