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J-GLOBAL ID：202202262920530609   整理番号：22A0975216

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)超薄膜に基づく深紫外光刺激シナプストランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Deep Ultraviolet Light Stimulated Synaptic Transistors Based on Poly(3-hexylthiophene) Ultrathin Films

著者 (8件)： Jiang Longlong (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Xu Chenyin (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Wu Xiaocheng (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Zhao Xue (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Zhang Lijun (College of Light-Textile Engineering and Art, Anhui Agricultural University, Anhui, P. R. China) ,  Zhang Guobing (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Wang Xiaohong (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, Hefei University of Technology, Anhui, P. R. China) ,  Qiu Longzhen (National Engineering Lab of Special Display Technology, Special Display and Imaging Technology Innovation Center of Anhui Province, Academy of Opto-Electronic Technology, and Intelligent Interconnected Systems Laboratory of Anhui, Anhui Province Key Laboratory of Measuring Theory and Prec...)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 9  ページ： 11718-11726  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深紫外(DUV)光刺激人工シナプスデバイスは,これらの線に沿って,知的軍事モニタリング,生物学的および医学的分析,火炎検出など様々な分野で潜在的用途を示し,DUV光に選択的に応答するポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)超薄膜上に作製したDUV光刺激シナプストランジスタを報告する。このデバイスは,興奮性シナプス後電流(EPSC),対パルス促進(PPF),短期記憶(STM),長期記憶(LTM),STM-to-LTM転移,および学習および忘却行動を含む様々なシナプス様行動をうまくシミュレートする能力を持つ。さらに,提案した人工シナプス構造も柔軟なポリ-(エチレンテレフタレート)(PET)基板上に作製し,典型的なシナプス挙動を成功裏にシミュレートし,ウェアラブル応用にとって非常に重要である。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *シナプス ,  *光刺激 ,  パルス ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *超薄膜
準シソーラス用語： *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 深紫外線 ,  人工シナプス ,  トランジスタ ,  超薄膜 ,  選択性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  超薄膜 ,  深紫外 ,  光刺激 ,  シナプス ,  トランジスタ