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J-GLOBAL ID：202202263085565529   整理番号：22A0636461

化学蒸着MoS_2のヨウ化物置換誘起相転移【JST・京大機械翻訳】

Iodide-substitution-induced phase transition of chemical-vapor-deposited MoS₂

著者 (10件)： Zhang Tianfu (Department of Physics, State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics and Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Research Center, Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China. [e-mail]) ,  Zeng Zimeng ,  Xiao Xiaoyang ,  Huang Zhongzheng ,  Zhao Jie ,  Zhao Yuxin ,  Jin Yuanhao ,  Wang Jiaping ,  Fan Shoushan ,  Li Qunqing
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 5  ページ： 1638-1644  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoS_2)系電子デバイス,特に電界効果トランジスタは優れた性能を有する。しかし,電極金属とMoS_2間の大きな接触抵抗は,これらのデバイスの全電位を制限する。ここでは,デバイス作製中のヨウ化カリウム(KI)溶液によるMoS_2の相転移を誘導するための,効果的で,迅速で便利な方法を報告する。単層MoS_2における2Hから1T相への転移をRaman分光法と透過型電子顕微鏡イメージングを用いて確認した。相転移処理を受けたMoS_2トランジスタの電気輸送測定において,正規化オン状態電流は未処理のトランジスタより約50倍大きかった。また,処理は,MoS_2の相転移により,より大きなオンオフ比,より良い出力特性,およびかなり低い接触抵抗をもたらした。したがって,MoS_2の相転移を誘起する新しい方法を報告し,この相転移の合理的な機構を提供し,MoS_2デバイスを改善する新しい効率的なアプローチを提供した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接触抵抗 ,  *相転移 ,  電位 ,  電流 ,  トランジスタ ,  溶液 ,  FET【トランジスタ】 ,  ヨウ化カリウム ,  比率 ,  画像処理 ,  エレクトロトランスポート ,  硫化モリブデン ,  *化学蒸着 ,  正規化 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  オンオフ比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学蒸着 ,  ヨウ化物 ,  置換 ,  誘起 ,  相転移