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J-GLOBAL ID：202202263101407695   整理番号：22A0366485

最近の製造技術の開発と応用 エッチング装置・薬液を必要としない酸化物薄膜の微細加工技術

Micropatterning Technique for Oxide Thin Films without Etching Apparatus and Etchant

著者 (1件)： 川江健 (金沢大 理工研究域)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 73  号： 2  ページ： 109-115  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・水リフトフ(WLO)法による全ヘテロエピ酸化物薄膜デバイス構造の形成の紹介。
・耐熱性に優れるα-CaOを犠牲層として用いることで高温環境下で酸化物薄膜のリフトオフパターニングを可能とするWLO法。
・WLO法による強誘電体PZTと導電性酸化物SrRuO₃(SRO)を用いたSrTiO₃基板上への薄膜キャパシタアレイ構造の形成。
・任意形状のSRO,PZO薄膜がSTO基板上に選択的に堆積されていることが観察される光学顕微鏡像。
・作製した構造が強誘電体キャパシタとして機能していることを示す分極-電圧特性。

シソーラス用語： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  ヘテロエピタクシー ,  部品 ,  *薄膜 ,  層 ,  *酸化物 ,  耐熱性 ,  *コンデンサ
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  薄膜デバイス ,  犠牲層 ,  *酸化物薄膜 ,  *強誘電体キャパシタ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 開発 ,  応用 ,  エッチング装置 ,  酸化物薄膜 ,  微細加工技術