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J-GLOBAL ID：202202263195385711   整理番号：22A0492413

SiO_2/MoS_2量子ドットハイブリッド構造に基づく改善されたAl_2O_3RRAM性能【JST・京大機械翻訳】

Improved Al₂O₃ RRAM performance based on SiO₂/MoS₂ quantum dots hybrid structure

著者 (11件)： Niu Yiru (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Yu Xinna (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Dong Xinyuan (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Zheng Diyuan (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Liu Shuai (School of Science, North University of China, No. 3, Xueyuan Road, Taiyuan, Shanxi 030051, China) ,  Gan Zhikai (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yutian Road, Shanghai 200083, China) ,  Chang Ke (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Liu Binbin (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Jiang Kang’an (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Li Yizhen (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Wang Hui (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 022106-022106-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,その高速アクセス速度と高記憶密度のため,かなりの注目を集めている。RRAMの2つの異なるリセットモード(進行性リセットと急なリセット)が以前に観察され,前者は良い均一性を示すが,小さなスイッチングウィンドウを示すが,後者は大きなスイッチングウィンドウを持つが,安定性が高く,電力消費が高い。これらの限界を克服するために,特にSiO_2制限層とMoS_2量子ドット(QDs)を加えることによって,界面工学による導電性フィラメントの形成と破壊を制御する方法を提案した。SiO_2/MoS_2 QDハイブリッド構造で修飾して,Al_2O_3ベースのRRAMは,進行性リセットモードから急激なリセットモードへと変換する。挿入はスイッチングウィンドウを優れた可読性で100倍以上拡張するだけでなく,極端に高い均一性と信頼性を伴って電力消費(<5μW)を劇的に削減し,不揮発性メモリ応用の大きな可能性を実証した。一方,量子ドットと機能的層を組み合わせる設計視点は,将来のRRAM性能を高めるための優れた戦略を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  スイッチング ,  信頼性 ,  電力消費 ,  可読性 ,  不揮発性メモリ ,  *量子ドット ,  *複合構造
準シソーラス用語： ReRAM ,  導電性フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子ドット ,  ハイブリッド構造