文献

J-GLOBAL ID：202202263235479061   整理番号：22A0655268

カゴメ超伝導体[数式:原文を参照]における電荷密度波のキャリア注入と操作【JST・京大機械翻訳】

Carrier Injection and Manipulation of Charge-Density Wave in Kagome Superconductor [Formula : see text]

著者 (17件)： Nakayama Kosuke (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Nakayama Kosuke (Precursory Research for Embryonic Science and Technology (PRESTO), Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo 102-0076, Japan) ,  Li Yongkai (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Li Yongkai (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Kato Takemi (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Liu Min (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Liu Min (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Wang Zhiwei (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Wang Zhiwei (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Takahashi Takashi (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Takahashi Takashi (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takahashi Takashi (WPI Research Center, Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Yao Yugui (Centre for Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yao Yugui (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Sato Takafumi (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Sato Takafumi (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sato Takafumi (WPI Research Center, Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Physical Review X  (Physical Review X)
巻： 12  号： 1  ページ： 011001  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5063A  ISSN： 2160-3308  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kagome金属[数式:原文を参照]([数式:原文を参照],Rb,およびCs)は,電荷密度波(CDW)と共存するユニークな超伝導基底状態を示すが,これらの特性がキャリアドーピングによってどのように影響を受けるかは,効率的なキャリアドーピング法の欠如のために未解明のままである。ここでは,角度分解光電子放出分光法で可視化されるように,Cs投与による[数式:原文を参照]への電子ドーピングの成功を報告する。Cs投与による電子ドーピングは,V [数式:原文を参照]バンドの比較的鈍感な性質とは対照的に,Sb [数式:原文を参照]とV [数式:原文を参照]バンドの電子充填の顕著な増加によって特性化されるように,軌道選択的方法で進行することを見出した。[数式:原文を参照]点周辺のCDWギャップの温度変化をモニターすることにより,CDWはCs投与によって完全に殺され,一方,鞍点がV [数式:原文を参照]特性でほとんどピン止めされ,Fermi準位にほぼピン止めされることを見出した。本結果は,CDWの発生に対する多軌道効果の重要な役割を示唆し,[数式:原文を参照]におけるCDWおよび超伝導を操作するための重要な段階を提供する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  基底状態 ,  *超伝導 ,  セシウム ,  ルビジウム ,  可視化 ,  Fermi準位 ,  ドーピング ,  スペクトロスコピー ,  温度変動 ,  *キャリア注入 ,  *電荷密度波 ,  鞍点 ,  *超伝導体
準シソーラス用語： 電子ドーピング ,  キャリアドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超伝導体 ,  数式 ,  参照 ,  電荷密度波 ,  キャリア注入