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J-GLOBAL ID：202202263332567595   整理番号：22A0316661

BSe,M_2CO_2単分子層およびBSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)van der Waalsヘテロ構造の興味深い電子的,光学的および光触媒性能【JST・京大機械翻訳】

Intriguing electronic, optical and photocatalytic performance of BSe, M₂CO₂ monolayers and BSe-M₂CO₂ (M = Ti, Zr, Hf) van der Waals heterostructures

著者 (5件)： Munawar M. (Department of Physics, Abbottabad University of Science & Technology, Abbottabad 22010, Pakistan. [e-mail]) ,  Idrees M. ,  Ahmad Iftikhar ,  Din H. U. ,  Amin B.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 42-52  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数(DFT)理論計算を用いて,BSe,M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)単分子層の電子バンド構造,光学的及び光触媒応答,及び対応するBSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)van der Waals(vdW)ヘテロ構造を調べた。BSeおよびM_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)単分子層の最適格子定数,結合長,バンド構造およびバンドギャップ値,有効質量電子および正孔,仕事関数および伝導および価電子帯エッジポテンシャルは,以前に利用可能なデータと一致した。結合エネルギー,層間距離,およびab initio分子動力学シミュレーション(AIMD)計算は,BSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)vdWヘテロ構造が特定の積層で安定であり,これらのヘテロ構造が実験室で合成できることを示した。電子バンド構造は,調べた全てのvdWヘテロ構造が,BSe-Ti_2CO_2のBZのΓ-KとΓ点において,それぞれ,CBMとVBMを有する間接バンドギャップ特性を有することを示した。一方,BSe-Zr_2CO_2とBSe-Hf_2CO_2vdWヘテロ構造では,CBMとVBMはBZのK点とΓ点にそれぞれ存在した。BSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)vdWヘテロ構造におけるタイプIIバンドアラインメントは,電子-正孔対の再結合を防ぎ,従って,集光と検出に重要である。最低エネルギー遷移が励起子により支配されるBSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)vdWヘテロ構造の光学挙動を理解するために吸収スペクトルを調べた。さらに,BSe-M_2CO_2(M=Ti,Zr,Hf)vdWヘテロ構造は,pH=0での水分解のための潜在的な光触媒であり,可視光ゾーンで増強された光学特性を示す。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収スペクトル ,  格子定数 ,  再結合 ,  正孔 ,  *電子 ,  *単分子層 ,  分解反応 ,  計算 ,  *素子構造 ,  可視光 ,  価電子バンド ,  有効質量 ,  密度汎関数法 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： BSE ,  単分子層 ,  Zr ,  HF ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  光学 ,  触媒性能