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J-GLOBAL ID：202202263369180317   整理番号：22A0788538

炭化ケイ素プラットフォーム上のニオブ酸リチウムにおける超低損失および高位相速度音響遅延線【JST・京大機械翻訳】

Ultra-Low Loss and High Phase Velocity Acoustic Delay Lines in Lithium Niobate on Silicon Carbide Platform

著者 (10件)： Zheng Pengcheng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,200050) ,  Zhang Shibin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,200050) ,  Zhou Hongyan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,200050) ,  Zhang Liping (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,200050) ,  Wu Jinbo (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Shanghai,200050) ,  Yao Hulin (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Huang Kai (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Zhao Xiaomeng (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  You Tiangui (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Ou Xin (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： MEMS  ページ： 1030-1033  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,炭化ケイ素(SiC)基板上の薄膜ニオブ酸リチウム(LiNbO_3)に基づく音響遅延線(ADL)を初めて提示した。SiCの高いバルク波速度のおかげで,剪断水平表面音響波(SH-SAW)と縦方向漏れ表面音響波(LL-SA W)は,LiNbO_3薄膜内で同時に低損失で伝播する。作製したSH-SAW ADLは,5500m/sを超える高い位相速度(vp),3.6dBの最小挿入損失(IL),および3.16dB/mmの超低伝搬損失(PL)を示した。作製したLL-SA W ADLは9000m/sを超える非常に高いv_pと8.7dBの最小ILを特徴とする。LiNbO_3-on-SiCに基づく実証されたADLは,GHzでの音響信号処理応用に有望である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 剪断 ,  薄膜 ,  *炭化ケイ素 ,  弾性表面波 ,  *位相速度 ,  挿入損 ,  *ニオブ酸リチウム
準シソーラス用語： 伝搬損失 ,  バルク音響波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化ケイ素 ,  プラットフォーム ,  ニオブ酸リチウム ,  低損失 ,  位相速度 ,  音響遅延線