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J-GLOBAL ID：202202263676447092   整理番号：22A1065868

電気化学的フェノールヒドロキシル化のための欠陥濃縮NiV層状複水酸化物ナノシートの原子スケールに及ぼす二金属相乗効果【JST・京大機械翻訳】

A bimetallic synergistic effect on the atomic scale of defect-enriched NiV-layered double hydroxide nanosheets for electrochemical phenol hydroxylation

著者 (7件)： Li Guangyao (College of Materials Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Xu Yanqi ,  Pan Hong ,  Xie Xiangli ,  Chen Rongrong ,  Wu Di ,  Wang Linjiang
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 10  号： 12  ページ： 6748-6761  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウム系触媒は,アレーンCsp2-H結合活性化および官能化に長い間適用されてきたが,大きな課題は,高い活性,選択性および安定性に関して残っている。ここでは,フェノールヒドロキシル化のための電極触媒として1段階共沈法により,二金属相乗効果を有する欠陥富化NiV層状二重水酸化物ナノシート(NiV-LDH-NS)を調製した。NiV-LDH-NSの適切な価電子帯は,電気化学的フェノールヒドロキシル化における適切な熱力学的駆動力を提供し,同時に過酸化を避けることができた。X線吸収微細構造(XAFS)は,NiV-LDH-NSにおける欠陥富化構造(V_NiとV_O)と低配位構造(Ni-OとV-O)を明らかにした。X線吸収分光法(XAS)と電気化学的キャラクタリゼーションは,NiとV内のこれらの高いエネルギー状態がNiV-LDH-NSにおける強い電子相互作用と速い電子移動をもたらすことを示した。一方,電子豊富欠陥はV4+/V5+レドックスを加速し,ヒドロキシルラジカル(・OH)を生成し,電気化学的フェノールヒドロキシル化に関与した。高速液体クロマトグラフィー(HPLC),ガスクロマトグラフィー-質量分析(GC-MS),及び1H核磁気共鳴(1H NMR)による分析は,フェノールの72.2%の転化率とHQの71.6%の選択率で最適に達成された標的生成物ヒドロキノン(HQ)の存在を確認した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *ニッケル ,  バナジウム ,  *相乗作用 ,  酸化還元反応 ,  電極触媒 ,  *ヒドロキシ化 ,  *電気化学 ,  ヒドロキシルラジカル ,  価電子バンド ,  転化率 ,  官能化 ,  *ナノシート ,  フェノール類
準シソーラス用語： 配位構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： フェノール

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気化学 ,  フェノール ,  ヒドロキシル化 ,  欠陥 ,  濃縮 ,  層状複水酸化物 ,  ナノシート ,  原子スケール ,  相乗効果