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J-GLOBAL ID:202202263767278012   整理番号:22A0896841

トポロジカル絶縁体デバイスにおける機会【JST・京大機械翻訳】

Opportunities in topological insulator devices
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 184-193  発行年: 2022年 
JST資料番号: W6373A  ISSN: 2522-5820  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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トポロジー絶縁体(TI)は,ユニークな量子現象のためのプラットフォームとして有望である。しかし,これらの現象の実現は,洗練されたデバイスを必要とする。この技術レビューにおいて,著者らは,TIデバイスに対する特別な関心の4つのトピック,すなわち,トポロジー超伝導,量子異常Hall絶縁体を,エキゾチック現象,スピントロニクス機能およびトポロジーメソスコピック物理学のためのプラットフォームとして論じる。また,新しい物理学に取り組むためのTIデバイスの作製における状態と技術的課題を論じた。トポロジカル絶縁体は独特の材料であり,異常な量子現象を生じさせる。この技術レビューは,トポロジー超伝導,量子異常Hall状態,スピントロニクス機能およびトポロジーメソスコピック物理を含む,それらに対処するために注意深く作製したデバイスにおいて,様々な物理効果がどのように観察されるかを議論する。キーポイント:トポロジカル絶縁体(TIs)の特異な性質に由来する興味深い量子現象をTIデバイスで観察できる。このようなデバイスの作製は,これらの材料が製作にもたらす特別な課題を考慮に入れるべきである。従来の超伝導体に近接して,TIはトポロジー量子計算のための主成分を表すトポロジー超伝導状態ホストMajoranaゼロモードを実現でき,そこでは,TIが半導体プラットフォーム上の利点を持つ可能性がある。磁気的にTIをドーピングすることによって,もしFermi準位が磁気交換ギャップに調整され,また,超伝導が近接効果によって誘起されるならば,キラルMajoranaエッジ状態に変わると予想されるキラルエッジ状態が生じるならば,量子異常Hall効果を観察することができる。TIのスピン-運動量-ロック表面状態は,強磁性電極と相互作用するそれらの電流誘起スピン分極によるスピントロニクス応用に潜在的に有用である。メソスコピックサイズのTIナノワイヤにおける量子閉じ込めは,Majoranaゼロモードが超伝導体によって促進されれば,Majoranaゼロモードが予想される拡張トポロジー相を開けるために,磁気および電場によって修正できる特異なDiracサブバンド構造の形成をもたらす。TIsと強磁性体または超伝導体とのインターフェイシングに基づく作製素子は,表面状態特性を保存し制御するために,十分に調整されたプロセスを必要とする。Copyright Springer Nature Limited 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電子輸送の一般理論 
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