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J-GLOBAL ID：202202263843211822   整理番号：22A0441985

χ_3ボロフェン表面上のガスセンシング挙動と吸着機構【JST・京大機械翻訳】

Gas sensing behavior and adsorption mechanism on χ3 borophene surface

著者 (3件)： Zergani Farideh (Department of Physical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Kashan, Iran) ,  Tavangar Zahra (Department of Physical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Kashan, Iran) ,  Tavangar Zahra (Institute of Nano Science and Nano Technology, University of Kashan, Kashan, Iran)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 431  号： P1  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンパクトなサイズの汚染物質ガスに対する高感度センサを見つける要求に従って,密度汎関数理論(DFT)計算に基づいて,χ3ボロフェンの吸着機構と検出能力を研究した。HCNを除いて,吸着分子の全体的構造は,χ3ボロフェン表面上の吸着中に維持された。得られた吸着エネルギーは-0.20から-2.45eVまで変化した。CO_2分子は表面と弱い相互作用を持つが,他の分子,特にCO,NO,NO_2,SO,SO_2,およびSO_3は表面に強く吸着する。表面上のHCN分子の解離に対する最小エネルギー経路とエネルギー障壁を,CI-NEB法により詳細に研究した。電荷密度差と電子局在化関数のプロットは,NまたはS含有ガスと表面の間の形成された結合の共有結合特性を示した。表面および吸着バンドアラインメントの研究は,χ3ボロフェンのFermi準位と気体分子のLUMOの間のギャップにおける電荷移動量を明確に正当化する。さらに,吸着に対する表面感度を,非平衡Green関数法で計算した透過係数の変化を分析することによって確認した。回復時間に関して,SO,SO_3およびNO_2分子は表面センシング性能を低下させるが,χ_3ボロフェン表面は環境からのそれらの除去に適している。したがって,これらのガスの熱安定性と吸着容量をCar-Parrinello分子動力学シミュレーションによって研究した。本研究は,χ3ボロフェン表面上の種々のガス分子の吸着の機構を明らかにするだけでなく,これらのガス種のセンシングおよび除去におけるχ3の利点を明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  電荷移動 ,  弱い相互作用 ,  汚染物質 ,  Fermi準位 ,  透過率 ,  共有結合 ,  LUMO ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  吸着容量 ,  分子動力学シミュレーション ,  エネルギー障壁 ,  *吸着機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： χ3ボロフェン ,  吸着機構 ,  密度汎関数理論 ,  CPMD ,  伝送 ,  センシング特性

分類 (2件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ボロフェン ,  センシング ,  挙動 ,  吸着