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J-GLOBAL ID：202202264005300178   整理番号：22A1175444

高周波動作のための埋込みGaN層による新しいSOI-MESFETの改良【JST・京大機械翻訳】

Improvement of a Novel SOI- MESFET with an Embedded GaN Layer for High-Frequency Operations

著者 (3件)： Khoorabeh Mehdi (Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran) ,  Orouji Ali A. (Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran) ,  Madadi Dariush (Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 6  ページ： 2757-2764  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電場分布を修正するために,埋め込みGaN層(GL-SOI-MESFET)を有するInsulator(SOI)金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の新しいシリコンを提案した。本研究の主なアイデアは,ドレイン領域近くの電場と電位分布を修正するための高ブレークダウンフィールド材料(GaN)の使用に基づいており,その結果,提案した構造の絶縁破壊電圧は従来の構造(C-SOI-MESFET)よりも高い。I_ds=55mA/mmとV_gs=-1VでのGL-SOI-MESFETの絶縁破壊電圧(V_BR)は,ΔΔ21Vを達成したが,C-SOI-MESFETのV_BRは16Vであった。提案した構造は,C-SOI-MESFETに対するDCとRF特性の改善を示す。構造性能を改善するために最良の結果を得るために,GaN層の寸法を最適化した。また,ゲートとドレイン側の間の電位分布と空乏領域の変化によって,ゲート-ドレイン容量は減少した。電場,電位分布,絶縁破壊電圧,キンク効果,自己加熱効果,電力利得,および寄生容量のような効果を調べ,提案した構造結果は従来のMESFET構造と比較して優れたDCと無線周波数(RF)性能を有した。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電圧 ,  電場 ,  ケイ素 ,  キンク ,  *HF【周波数】 ,  電位分布 ,  漂遊容量 ,  周波数 ,  *窒化ガリウム ,  *MESFET ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： 電界分布 ,  絶縁破壊電圧 ,  自己加熱 ,  無線周波数 ,  空乏領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  MESFET ,  破壊電圧 ,  高降伏場 ,  自己加熱 ,  パワーゲイン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  埋込み ,  GaN ,  SOI ,  MESFET