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J-GLOBAL ID:202202264087816477   整理番号:22A0463169

(4,4)ナノチューブを有するP4/mbm相の新しいBN多形【JST・京大機械翻訳】

A Novel BN Polymorph in P4/mbm Phase with a (4,4) Nanotube
著者 (5件):
資料名:
巻: 259  号:ページ: e2100333  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,密度汎関数理論に基づいて,ダイヤモンドから誘導した新しい窒化ホウ素構造を設計し,その安定性も証明した。新しい窒化ホウ素構造をP4/mbmBNと表示した。P4/mbmBNの弾性率(体積弾性率,せん断弾性率およびYoung率)は,C_72およびT炭素のそれよりもわずかに大きく,せん断弾性率およびYoung率は,P-4m2B_7N_7,B_11N_11およびB_15N_15のそれよりも大きかった。P4/mbmBNのせん断弾性率とYoung率は,P-4m2B_7N_7,B_11N_11,およびB_15N_15のそれより小さい機械的異方性を示し,P-4m2B_15N_15は,剪断弾性率とYoung率の最大の機械的異方性を示した。P-4m2B_15N_15の(100),(010)面の剪断弾性率の異方性は,P4/mbmBNの26.5倍であり,P-4m2B_15N_15の(110)面のYoung率の機械的異方性は,P4/mbmBNの35.6倍であった。P4/mbmBNは,4.8eVのバンドギャップを有する広く,間接バンドギャップ半導体材料である。炭化ケイ素および窒化ガリウムと比較して,P4/mbmBNは,より広いバンドギャップを持ち,それは,高温,高周波,耐放射線性,および高出力デバイスを作るために,より好適であった。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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固体の機械的性質一般  ,  その他の無機化合物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (3件):
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