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J-GLOBAL ID：202202264323564201   整理番号：22A1527096

熱力学に基づくカルコパイライト型リン化物半導体の作製プロセスと太陽電池応用

Fabrication process and device application of chalcopyrite phosphides based on thermodynamics

著者 (3件)： 野瀬嘉太郎 (京都大学 材料工学専攻) ,  勝部涼司 (京都大学 材料工学専攻) ,  桑野太郎 (京都大学 材料工学専攻)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 91  号： 5  ページ： 280-284(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿ではカルコパイライト型リン化物半導体を太陽電池に応用する研究の中で,状態図(相図)を用いたバルク結晶成長,および化学ポテンシャル図を用いた薄膜成長や界面安定性に関する内容を紹介する.カルコパイライト化合物のような多元系材料を作製するうえでは自由度が高くなるため安定相を俯瞰(ふかん)できる状態図は有用なツールであることはいうまでもない.一方,化学ポテンシャル図は,系の成分の化学ポテンシャルを軸にとった状態図である.通常の状態図と異なり,気相をあらわに取り扱える点で気相成長との整合性がよい.いずれも熱力学(平衡論)に基づいた情報であるが,これをプロセスに生かす方法について述べる.また,規則不規則転移を利用したバンドギャップ制御についても紹介する.(著者抄録)

シソーラス用語： 熱力学 ,  *太陽電池 ,  リン化合物 ,  *状態図 ,  結晶成長 ,  *化学ポテンシャル ,  薄膜成長 ,  界面 ,  気相成長 ,  秩序無秩序転移 ,  バンドギャップ ,  吸収係数 ,  格子欠陥 ,  *アンチサイト欠陥 ,  光吸収材 ,  第一原理計算
準シソーラス用語： *規則不規則変態 ,  *光吸収係数 ,  非平衡プロセス

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  多成分系の相平衡・状態図一般  (CB03014B)

引用文献 (48件)：

• 1) H. Hahn, G. Frank, W. Klingler, A.D. Meyer, and G. Störger: Z. Anorg. Allg. Chem. 271, 153 (1953).
• 2) C.H.L. Goodman and R.W. Douglas: Physica 20, 1107 (1954).
• 3) J.L. Shay and H. Wernick: Ternary Chalcopyrite Semiconductors Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon Press, New York, 1975).
• 4) A.D. Martinez, A.N. Fioretti, E.S. Toberer, and C. Tamboli: J. Mater. Chem. A 5, 11418 (2017).
• 5) T. Yokoyama, F. Oba, A. Seko, H. Hayashi, Y. Nose, and I. Tanaka: Appl. Phys. Express 6, 061201 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱力学 ,  リン化物 ,  作製 ,  プロセス ,  太陽電池 ,  応用