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J-GLOBAL ID:202202264350303987   整理番号:22A0975687

導波路モードのナノ光学イメージングによりプローブした二軸ReS_2結晶の面内異方性【JST・京大機械翻訳】

In-Plane Anisotropy in Biaxial ReS2 Crystals Probed by Nano-Optical Imaging of Waveguide Modes
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 443-451  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5045A  ISSN: 2330-4022  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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近接場イメージングはvan der Waals結晶の誘電関数の信頼できるプローブとして出現した。原理的に,サブ波長導波路モード(WM)の伝搬パターンを解析することにより,全誘電テンソルの抽出が可能になる。しかし,以前の研究は,主に高対称性材料または狭帯域プロービングに限定されてきた。ここでは,広い範囲の近赤外周波数にわたって薄いレニウムジスルフィド(ReS_2)結晶中の面内異方性WMsを解いた。結晶学的方向,電場の分極,および試料厚さの関数としてこれらのモードの発展を追跡することによって,著者らは,不明確な面外応答を含む異方性誘電テンソルを決定した。~1.5eVでの励起子吸収は,WM分散における明確な逆曲げ特性と,数値計算によって完全に支持された品質因子の減少として現れる。この結果は二軸異方性に対する近接場顕微鏡法の感度を拡張し,ReS_2の光電子特性への重要な洞察を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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