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J-GLOBAL ID：202202264398970426   整理番号：22A1159603

Si-Geホイスカの価電子帯における歪誘起分裂【JST・京大機械翻訳】

Strain-induced splitting in valence band of Si-Ge whiskers

著者 (5件)： Druzhinin A. (Department of Semiconductor Electronics, Institute of Telecommunications, Radioelectronics and Electronic Engineering, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Ostrovskii I. (Department of Semiconductor Electronics, Institute of Telecommunications, Radioelectronics and Electronic Engineering, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Khoverko Yu. (Department of Semiconductor Electronics, Institute of Telecommunications, Radioelectronics and Electronic Engineering, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Liakh-Kaguy N. (Department of Semiconductor Electronics, Institute of Telecommunications, Radioelectronics and Electronic Engineering, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Mazur V. (Department of Semiconductor Electronics, Institute of Telecommunications, Radioelectronics and Electronic Engineering, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine)
資料名： Applied Nanoscience  (Applied Nanoscience)
巻： 12  号： 4  ページ： 913-917  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6363A  ISSN： 2190-5517  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1×1018cm-3の濃度のホウ素でドープしたp型導電性固溶体シリコン-ゲルマニウムホイスカに対する抵抗の温度依存性を,4.2~300Kの温度範囲および-3×10-3relまで一軸圧縮歪下で調べた。価電子帯スペクトルにおけるスピン-軌道分裂に起因する歪の影響を調べた。結果として,k-p法に基づいて,光と重い正孔の両方に対するスピン-軌道分裂エネルギーを発見した。固溶体Si_0.2Ge_0.8ホイスカの歪誘起効果を低温で調べた。ヘリウム温度における基礎巨大ピエゾ抵抗効果は,金属-絶縁体転移の近傍にドーピング濃度を有するシリコン-ゲルマニウムホイスカに基づいて,超感受性歪ゲージを創製する機会を与える。5×10-4~1.3×10-3relのヘリウム温度と変形範囲で動作する機械的センサを,濃度1×1018cm-3にドープした高感度元素Si_0.2Ge_0.8ホイスカで設計した。Copyright King Abdulaziz City for Science and Technology 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固溶体 ,  正孔 ,  低温 ,  *ホイスカ ,  ヘリウム ,  ホウ素 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  スペクトル ,  *価電子バンド ,  金属-絶縁体転移 ,  圧抵抗効果 ,  導電性
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  一軸圧縮 ,  重い正孔 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固溶体シリコン-ゲルマニウムホイスカ ,  スピン-軌道結合 ,  圧縮歪 ,  機械的センサ ,  低温温度

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  ホイスカ ,  価電子帯 ,  誘起