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J-GLOBAL ID:202202264408680013   整理番号:22A0974578

極薄CrTe_3およびCrTe_2van der Waals磁石の平面ヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

Planar Heterojunction of Ultrathin CrTe3 and CrTe2 van der Waals Magnet
著者 (9件):
資料名:
巻: 16  号:ページ: 4348-4356  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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磁気van der Waals超薄結晶を有する平面ヘテロ接合の作製は,小型化スピントロニクスデバイスを構築するために必須であるが,まだ実現されていない。ここでは,分子線エピタキシーによるCrTe_3およびCrTe_2超薄膜の成長を報告し,低温走査トンネル顕微鏡/分光法によるそれらの形態学的および電子的構造を特性化した。前者はMott絶縁体として同定され,後者は以前にロバストな磁気秩序を示した。真空アニーリングにより,CrTe_3はCrTe_2に変態し,その相対比はアニーリング時間によって制御された。これは,CrTe_3-CrTe_2平面ヘテロ接合を構築する実現可能性を示し,それは原子的に鋭い界面と滑らかなバンド曲がりを示す。CrTe_3とCrTe_2のハイブリッドユニットによって構成される超構造も同定し,その電子構造は超構造の長さで同調性を示す。本研究は,人工超格子構造におけるスピントロニクス回路と工学電子状態を構築するための磁気トンネル接合の開発の基礎をセットする。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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