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J-GLOBAL ID：202202264510098905   整理番号：22A0942055

ダイオード中の高分子半導体の両極性輸送と負の傾斜現象へのキャリアセグメント振動緩和【JST・京大機械翻訳】

Ambipolar transport of polymer semiconductors in diodes and carrier segment vibration relaxation to the negative slope phenomena

著者 (18件)： Yang Zhi-Yao (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Yang Zhi-Yao (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Cai Hai-Tong (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Cai Hai-Tong (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Li Jie (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Li Jie (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Cai Jing-Yao (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Cai Jing-Yao (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Wang Cheng (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Wang Cheng (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Ye Shang-Hui (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Ye Shang-Hui (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Tang Chao (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Tang Chao (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Lai Wen-Yong (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Lai Wen-Yong (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China) ,  Huang Wei (State Key Laboratory of Organic Electronics and Information Displays, Institute of Advanced Materials(IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing 210023, Jiangsu Province, Chi...) ,  Huang Wei (School of Applied Chemical Engineering, Sichuan Vocational College of Chemical Technology, 733 Huguo Road, Luzhou 646300, Sichuan Province, China)
資料名： Polymer  (Polymer)
巻： 245  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0472B  ISSN： 0032-3861  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P-およびN-型半導体の概念に関して,注意深く理論的研究の後,無機および高分子半導体の間に矛盾があることがわかった。次に,正孔と電子の基本概念を通して,全ての高分子半導体は,共通の材料からのインピーダンス分光法を通して,その後の実験データによって証明された,両極性輸送特性を有するはずである。高分子のこのような一般的な両極性輸送特性を,最初に,ダイオード構造で系統的に研究し,それらの固有特性に近い。正孔は「正孔の電子グループ」として見られ,1電子より消光するのは困難であり,次に,正孔輸送ポリマーの数が電子輸送よりも一般的である,共通の報告データを得ることを助けることができる。さらに,実験移動度曲線は,主に負の勾配を示し,電場がキャリアの方向性運動を加速する基本的事実と反対であるように見える。次に,キャリアセグメントの概念をそのような負の勾配のために提案し,それは1つの共役投影システムである。1つのキャリアセグメントにおいて,キャリアは1つの分子として自由に移動することができ,それは外部電場によって加速される。1つのキャリアセグメントから別のキャリアセグメントまで,キャリアの運動エネルギーをキャリアセグメント双極子の振動によって緩和することができた。キャリアセグメントの振動緩和からのエネルギー損失が外部電場からのエネルギー増加より大きいならば,キャリア移動度曲線は全体の負特性を示している。この効果は,高分子の分子構造によって,主要な影響を持つことができる。最後に,重合体の振動モデルをIR分光法と計算法によって研究した。P3HTの振動モデルにはいくつかの特別な特性があり,それは穴の傾斜と電子移動度曲線が互いに反対であるという事実に対応する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  重合体 ,  正孔 ,  *ダイオード ,  電場 ,  *半導体 ,  分子構造 ,  *セグメント ,  共役 ,  *キャリア ,  双極子 ,  *高分子半導体
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  正孔輸送 ,  外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 両極性輸送 ,  移動度曲線の負の勾配 ,  キャリアセグメント ,  振動緩和 ,  インピーダンス分光法

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイオード ,  高分子半導体 ,  極性輸送 ,  現象 ,  キャリア ,  セグメント ,  振動緩和