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J-GLOBAL ID：202202264522728596   整理番号：22A0971093

シリコン基板上の急速熱成長MoS_2薄膜の微細構造および電子特性に対するプロセスパラメータの役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Process Parameters on Microstructural and Electronic Properties of Rapid Thermally Grown MoS₂ Thin Films on Silicon Substrates

著者 (3件)： Pradhan Diana (Department of Physics and Astronomy, National Institute of Technology, Rourkela, India) ,  Kar Jyoti P. (Department of Physics and Astronomy, National Institute of Technology, Rourkela, India) ,  Kar Jyoti P. (Centre for Nanomaterials, National Institute of Technology, Rourkela, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 5  ページ： 1947-1957  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料の小型化は,低次元遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)薄膜の発見を推進した。本研究では,還元ガスとして水素を用いた急速熱処理(RTP)技術を採用してMoS_2薄膜を成長させた。MoS_2薄膜の形態,微細構造および電子特性に及ぼす成長時間および温度の影響を系統的に調査した。電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)画像は,加工温度とその持続時間の両方による膜形態の変調を示した。(002)ピークの強度はRTP時間と温度と共に増加することが分かった。389cm-1と408cm-1付近に現れる特徴的なRamanピークのFWHM値の減少から,時間と温度の増加によるMoS_2膜の結晶性の改善も明らかになった。フィルム品質は,より高い成長温度で悪化することが分かった。MoS_2/Siヘテロ接合に対して,MoS_2膜のキャリア濃度をMott-Schottky法で計算した。キャリア濃度,理想因子およびビルトイン電位は,800°Cで5分間成長させたMoS_2膜に対して,それぞれ3.85×1015cm-3,1.45および0.46Vであった。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  温度 ,  電位 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  水素 ,  半導体材料 ,  小型化 ,  結晶度 ,  キャリア密度 ,  加工温度 ,  *プロセスパラメータ ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二硫化モリブデン ,  薄膜 ,  急速熱処理 ,  時間と温度 ,  微細構造と半導体特性

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン基板 ,  成長 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  電子 ,  プロセスパラメータ ,  役割