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J-GLOBAL ID：202202264554875706   整理番号：22A0637887

Si上にエピタキシャル成長した低転位密度量子ドットレーザにおける亀裂伝搬【JST・京大機械翻訳】

Crack propagation in low dislocation density quantum dot lasers epitaxially grown on Si

著者 (4件)： Shang Chen (Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Begley Matthew R. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Gianola Daniel S. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Bowers John E. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 011114-011114-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のエピタキシャルレーザにおける低い貫通転位密度は,シリコンフォトニック集積回路のための高性能でロバストなデバイスに必要である。しかし,貫通転位密度がさらに減少すると,膜と基板の間の熱膨張係数不整合により室温まで冷却後の層に発生する亀裂に対してエネルギー的に好ましい点に達した。これは,光閉じ込めの増加と全層厚さの減少により,ほとんどの場合,解決できる。転位運動(制御塑性緩和)と薄膜チャネル亀裂のモデルを結合して,転位密度と冷却速度の影響を記述し,それは,光電子と電子素子のためのヘテロエピタキシャル成長におけるよく知られた,以前に未解決の問題を扱う。予測と実験間の一致は,モデルが亀裂を避ける臨界転位密度,膜厚,冷却速度の同定に有効であることを示している。本研究は,半導体膜における破壊機構と転位媒介塑性緩和を併合する最初の試みであり,オプトエレクトロニック材料における実用的問題を解決した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *亀裂 ,  *転位【結晶】 ,  薄膜 ,  冷却 ,  *ケイ素 ,  *転位密度 ,  臨界 ,  緩和現象 ,  *亀裂伝搬 ,  モデル ,  冷却速度 ,  熱膨張係数 ,  室温 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 塑性緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  エピタキシャル成長 ,  転位密度 ,  量子ドットレーザ ,  亀裂伝搬