文献

J-GLOBAL ID：202202264768399531   整理番号：22A0971840

イオントラッピングではなく構造的および動的無秩序性は高ドープ導電性高分子における電荷輸送を制御する【JST・京大機械翻訳】

Structural and Dynamic Disorder, Not Ionic Trapping, Controls Charge Transport in Highly Doped Conducting Polymers

著者 (24件)： Jacobs Ian E. (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  D’Avino Gabriele (Grenoble Alpes University, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, France) ,  Lemaur Vincent (Laboratory for Chemistry of Novel Materials, University of Mons, Belgium) ,  Lin Yue (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Huang Yuxuan (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Chen Chen (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Harrelson Thomas F. (Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Wood William (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Spalek Leszek J. (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Mustafa Tarig (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Mustafa Tarig (Department of Chemistry, University of Cambridge, U.K.) ,  O’Keefe Christopher A. (Department of Chemistry, University of Cambridge, U.K.) ,  Ren Xinglong (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Simatos Dimitrios (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Simatos Dimitrios (Department of Chemistry, University of Cambridge, U.K.) ,  Tjhe Dion (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Statz Martin (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.) ,  Strzalka Joseph W. (X-Ray Science Division, Argonne National Laboratory, Illinois, United States) ,  Lee Jin-Kyun (Department of Polymer Science & Engineering, Inha University, South Korea) ,  McCulloch Iain (Department of Chemistry, University of Oxford, U.K.) ,  McCulloch Iain (KAUST Solar Center, Physical Sciences and Engineering Division (PSE), Materials Science and Engineering Program (MSE), King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Saudi Arabia) ,  Fratini Simone (Grenoble Alpes University, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, France) ,  Beljonne David (Laboratory for Chemistry of Novel Materials, University of Mons, Belgium) ,  Sirringhaus Henning (Optoelectronics Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, U.K.)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 144  号： 7  ページ： 3005-3019  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピングされた有機半導体は,熱電,バイオエレクトロニクス,および神経形態計算デバイスを含む,新しいデバイス応用に重要である。これらの材料における低い伝導率は,主にドーパント対イオンのCoulombポテンシャルによる電荷捕獲から生じると仮定される。ここでは,この信念を再構築する実験的および理論的研究を組み合わせた。イオン交換に基づく新しく開発されたドーピング技術を用いて,種々のサイズと形状のいくつかの対イオンを有する高ドープ膜を調製し,それらのキャリア密度,電気伝導率,およびパラ結晶無秩序を特性化した。少なくとも5つの異なるイオンでドーピングされた,いくつかのクラスの高移動度共役高分子からなるこの独特の大きなデータセットにおいて,電気伝導率は,パラ結晶無秩序と強く相関するが,イオンサイズとは良く相関せず,Coulombトラップが輸送を制限しないことを示唆した。高度にドープした高分子における相互作用電子に対する一般的モデルを提案し,原子論的計算に対して注意深くパラメータ化し,過渡局在化理論の枠組み内の電気伝導率の計算を可能にした。理論計算は実験データと非常に良く一致し,電荷輸送の無秩序制限特性への洞察を提供し,さらに導電性を改善する新しい戦略を示唆した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  相互作用 ,  電気伝導率 ,  有機半導体 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  Coulombポテンシャル ,  *導電性高分子 ,  パラ結晶 ,  ドーパント ,  対イオン ,  *導電性
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  バイオエレクトロニクス ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオントラッピング ,  無秩序性 ,  ドープ ,  導電性高分子 ,  電荷輸送