文献

J-GLOBAL ID：202202264909816651   整理番号：22A0439283

増強された光電気化学性能のための応力誘起BiVO_4光アノード【JST・京大機械翻訳】

Stress-induced BiVO₄ photoanode for enhanced photoelectrochemical performance

著者 (12件)： Jiang Weiyi (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  An Yang (Institute for Innovative Materials and Energy (School of Chemistry and Chemical Engineering), Yangzhou University, 225002 Yangzhou, Jiangsu, China) ,  Wang Zeyan (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Wang Minrui (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Bao Xiaolei (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Zheng Liren (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Cheng Hefeng (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Wang Peng (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Liu Yuanyuan (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Zheng Zhaoke (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Dai Ying (School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Huang Baibiao (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 304  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiVO_4は有望で環境に優しい光アノード材料である。しかし,BiVO_4の光電気化学特性はその低い電荷分離効率に限定されている。ここでは,相転移温度近傍のVO_2の単位格子体積の変化を介してBiVO_4光アノードに応力を導入する簡単な方法を開発した。この方法で,BiVO_4の結晶構造は歪を起こし,BiVO_4光アノードの光電気化学特性を改善し,BiVO_4-V光アノードの表面光電位は裸のBiVO_4光アノードのほぼ2倍になった。室温で,BiVO_4-V光アノードの光電流密度はBiVO_4光アノードの2.35倍であった。興味深いことに,85°CではBiVO_4-V光アノードの光電流密度はBiVO_4光アノードの6.8倍と高かった。さらに,BiVO_4-V光アノードの光電流密度は,犠牲剤Na_2SO_3の存在下で85°CでBiVO_4光アノードの理論的光電流密度の80%に達することができた。本研究は,BiVO_4光アノードの光電気化学特性を改善する新しい応力工学戦略を示し,他の半導体光アノードに適用できると期待される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  電位 ,  転移温度 ,  半導体 ,  電流密度 ,  *光電気化学 ,  電荷分離
準シソーラス用語： 光電気化学特性 ,  *光アノード ,  格子体積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光電気化学 ,  BiVO_4光アノード ,  応力工学 ,  水の酸化

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  光電気化学 ,  応力 ,  誘起 ,  光アノード