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J-GLOBAL ID:202202264933966033   整理番号:22A0956862

センシング応用のための化学蒸着ダイヤモンドにおける窒素空孔中心の生成【JST・京大機械翻訳】

Creation of nitrogen-vacancy centers in chemical vapor deposition diamond for sensing applications
著者 (17件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 033030 (16pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7017A  ISSN: 1367-2630  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)中心は,スピンサブレベルで微小エネルギーシフトの光学的読み出しを示す磁気測定応用のための有望な量子系である。NV集合体の鍵となる材料要求は,高いNV-濃度,長いスピンコヒーレンス時間,および安定な電荷状態である。しかし,これらは相互依存性であり,ダイヤモンド成長とその後のNV生成時に最適化することは困難である。本研究では,バルク化学蒸着(CVD)ダイヤモンドにおけるNV中心形成と特性を系統的に調べた。成長中の窒素流は4桁以上変化し,1百万あたり0.2~20部分の広範な単一置換窒素濃度をもたらした。固定窒素濃度に対して,2つの異なる加速電子エネルギーで電子照射フルエンスを最適化し,光学的キャラクタリゼーションによる欠陥形成を研究した。増強NV濃度とNV電荷状態の最適の両方を満たす最適照射条件を決定する一般的手法を論じた。スピン-スピンコヒーレンス時間T_2は,それぞれ168から1のNV-中心を含むCVDダイヤモンドに対して45.5から549μsの範囲である。本研究は,感度改善のためのNVドープCVDダイヤモンドの加工性に対する経路を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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マイクロ波光二重共鳴  ,  半導体の格子欠陥  ,  その他の情報工学基礎理論  ,  量子力学一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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