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J-GLOBAL ID:202202265077480473   整理番号:22A0434134

バンド構造工学のためのGaS-BSe vdWヘテロ構造二層における電場と歪変調の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of electric field and strain modulation in GaS-BSe vdW heterostructured bilayer for bandstructure engineering
著者 (5件):
資料名:
巻: 277  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)六方晶構造グループIII-VI二元単分子層の電子物性に関する以前の研究に触発されて,本研究は,可能なヘテロ構造とそれらの潜在的用途をさらに探究する。人々は長い間遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)ベースの材料に焦点を当ててきたが,低移動度はその更なる応用を大きく妨げている。探査と研究の後,理想的なバンド配列を有するヘテロ構造を構築するための関連する複合型と合成法が十分に開発された。密度汎関数理論(DFT)に基づいて,著者らは,vdW相互作用を通して単層GaSとBSeを結合し,明確なタイプII配列を有する新しいヘテロ構造形を得た。本研究は,GaS-BSeヘテロ構造が全ての理想的な基準を完全に満たすことができ,元の構造よりも良好な移動度を持つことを初めて証明した。印加電場はI型とII型間のバンド整列を調節でき,一方,印加歪は,比較的広いタイプII領域内で2つのヘテロ構造を維持でき,それによって,空間中の光誘起キャリアを効果的に分離できることを見出した。引張歪適用構造は太陽スペクトル内の光吸収を促進する。外部歪を適用した場合,s-GaSの予測効率は21%と高かった。本研究は,高い柔軟性と同調性を有するグループIII-VI単分子層とs-GaSに基づいた新しいvdWヘテロ構造を設計するための有望な経路を提供し,新しい電子デバイスと光触媒の有力な候補である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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塩 

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