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J-GLOBAL ID：202202265107157532   整理番号：22A0178663

NbO_2-Nb_2O_5薄膜ベースデバイスの構造と誘電特性に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Studies on structural and dielectric properties of NbO2-Nb2O5 thin-film-based devices

著者 (6件)： Islam Karimul (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700 064, India) ,  Islam Karimul (Homi Bhabha National Institute, BARC Training School Complex, Anushaktinagar, Mumbai 400 094, India) ,  Sultana Rezwana (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700 064, India) ,  Sultana Rezwana (Homi Bhabha National Institute, BARC Training School Complex, Anushaktinagar, Mumbai 400 094, India) ,  Satpati Biswarup (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700 064, India) ,  Chakraborty Supratic (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700 064, India)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 195  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた均一性を有するNbO_2とNb_2O_5の薄膜組成を,Ar/O_2プラズマ中の酸素流量を4~8sccmの範囲で制御することにより,反応性スパッタリング法を用いて堆積した。すべての堆積膜を,X線反射率(XRR),X線光電子分光法(XPS)および電界放出走査Electron顕微鏡(FE-SEM)法を用いてキャラクタリゼーションした。さらに,断面透過型電子顕微鏡(TEM)とエネルギー分散X線分光法(EDX)を1つの試料で行った。酸化ニオブ薄膜系金属-オキシド-半導体(MOS)デバイスの誘電特性も1~106Hzの周波数範囲で研究した。研究は,NbO_2-Nb_2O_5膜中のNbO_2含有量が,プラズマ中の酸素含有量と共に減少することを示した。誘電率,散逸因子(tanδ)およびac伝導率(σac)の実(ε′)および虚数(ε′′)部分は,膜中の酸素含有量に依存することを見出した。また,Cole-Coleプロットから導いた分布パラメータ(α),平均緩和時間(τ_0)および分子緩和時間(τ)は,酸素含有量とともに変化した。要するに,酸素空孔と結晶粒界は,デバイスの異なる電気的性質を示す際に重要な役割を果たす。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和時間 ,  結晶粒界 ,  プラズマ ,  電界放出 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  誘電率 ,  酸化物 ,  *誘電性 ,  酸化ニオブ ,  虚数 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  損失正接
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  酸素含有量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化ニオブ ,  粒径 ,  結晶粒界 ,  漏れ電流密度 ,  誘電定数 ,  酸素空孔

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  誘電特性 ,  研究