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J-GLOBAL ID:202202265229051951   整理番号:22A1094844

種々の元素をドープしたZnOナノロッドアレイにおける紫外光センシング特性【JST・京大機械翻訳】

Ultraviolet light sensing property in ZnO nanorod arrays doped by various elements
著者 (2件):
資料名:
巻: 144  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,化学浴析出(CBD)法を用いて非ドープおよびドープ(Co,Cu,N)ZnOナノロッド(NR)を合成し,金属-半導体-金属(MSM)配置における紫外線(UV)光感度を比較した。この層をFESEM,EDX,XRD,UV-Vis,PLスペクトル,Seebeck効果,I-VおよびI-tを暗および365nm照射下で特性化した。見出した。(1)これらのドーパントの添加により,Nドーパントでさえ,Co,Cu,およびNドーパントに対して,それぞれ,66,36,および11meVの異なる活性化エネルギーを有するn型伝導率をもたらした。(2)非ドープ条件と比較して,ドープしたNRは,より長くて,より狭く,さらに,それらは,より良い結晶性とより高いUV吸収を持った。比較研究に基づいて,ZnO:Co NRは833の最高光応答比(I_L/I_D)を有する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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半導体薄膜  ,  固体デバイス材料  ,  光化学一般 

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