文献

J-GLOBAL ID：202202265233457103   整理番号：22A0575114

結晶シリコン太陽電池におけるポリシリコン不動態化接触のためのドーパントグラディングの提案【JST・京大機械翻訳】

Dopant-grading proposal for polysilicon passivating contact in crystalline silicon solar cells

著者 (2件)： Pham Duy Phong (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Yi Junsin (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 522  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコン/結晶シリコン(poly-Si/c-Si)不動態化接触は,c-Si系太陽電池の効率を改善する魅力的な選択肢である。接触の高品質な不動態化を確実にするためのポリSi層に必要な重ドーピングは,内部欠陥と同様に,高い熱アニーリング過程の間にc-Siへの実質的なドーパント拡散を引き起こす。これは不動態化品質を低下させる。ドーパント拡散と欠陥を抑制するため,ポリSi層の簡単なドーパント等級付けを提案した。ポリSi調製によるドーパント濃度を変えることによって,等級づけを行った。従って,高いドーパント濃度はc-Si界面から遠く分布するが,低いものは逆である。グレーディングは不動態化品質を著しく改善し,730mVの高い暗示開放電圧(iV_oc)と5.1fA/cm2の低い再結合電流密度(J_o)を可能にした。グレーディングのために,太陽電池デバイスは,開回路電圧,フィルファクタ,および効率において,それぞれ10mV,0.5%,および0.6%の強化を示す。背面傾斜ポリSi層を用いたシリコンヘテロ接合太陽電池は22%の変換効率を達成した。提案した等級づけ技術は,c-Si太陽電池のための簡単で効率的な技術としてかなりの可能性を示す。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  再結合 ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  *不動態化 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  *ドーパント ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  高品質 ,  熱アニーリング ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 不動態化接触 ,  ポリ-si/c-Si接触 ,  ドーパントグレーディング

分類 (1件)： 燃料電池  (YB04040V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶シリコン太陽電池 ,  ポリシリコン ,  不動態化 ,  提案