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J-GLOBAL ID：202202265274747124   整理番号：22A0726927

双晶超格子TeドープGaAsナノワイヤの相図【JST・京大機械翻訳】

Phase Diagram for Twinning Superlattice Te-Doped GaAs Nanowires

著者 (4件)： Ghukasyan Ara (Department of Engineering Physics, McMaster University, Ontario, Canada) ,  Goktas Nebile Isik (Department of Engineering Physics, McMaster University, Ontario, Canada) ,  Dubrovskii Vladimir G. (Faculty of Physics, St. Petersburg State University, Russia) ,  LaPierre Ray R. (Department of Engineering Physics, McMaster University, Ontario, Canada)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 22  号： 3  ページ： 1345-1349  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 双晶超格子(TSLs)は,ナノワイヤ(NWs)におけるフォノンと光学工学の手段として提案された半導体構造の成長クラスである。本研究では,選択的領域分子線エピタキシーを用いて,自己支援蒸気-液体-固体機構(シード粒子としてGa液滴)によって成長させたTeドープGaAs NWにおけるTSL形成を調べた。これらのNWでは,TSL構造は交互閃亜鉛鉱双晶から成り,その形成はTeドーパントの導入によって促進された。透過電子顕微鏡を用いて,種々の成長条件(V/IIIフラックス比,温度)にわたるNWの結晶構造を調べ,低いV/IIIフラックス比0.5および中間成長温度492から537°Cにおいてのみ周期的TSLを見出した。これらの結果を,Ga液滴を供給する拡散フラックスに基づく速度成長モデルにより説明した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  *超格子 ,  結晶構造 ,  *双晶 ,  半導体 ,  フォノン ,  *ガリウム ,  *テルル ,  *ヒ化ガリウム ,  *ドーピング ,  閃亜鉛鉱 ,  ドーパント ,  MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ナノワイヤ

著者キーワード (5件)： 双晶超格子 ,  ひ化ガリウム ,  テルル ,  分子ビームエピタクシー ,  ナノワイヤ

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 双晶 ,  超格子 ,  Te ,  ドープ ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  相図