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J-GLOBAL ID：202202265338860764   整理番号：22A0622546

SmドープGaFeO_3の誘電,強誘電,磁気および電気特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric, ferroelectric, magnetic and electrical properties of Sm-doped GaFeO₃

著者 (7件)： Agrawal Khusboo (Department of Physics, Veer Surendra Sai University of Technology, Sambalpur, Odisha, India) ,  Behera Banarji (School of Physics, Sambalpur University, Burla, Odisha, India) ,  Sahoo S. C. (Department of Physics, Central University of Kerala, Kasaragod, Kerala, India) ,  Rout S. K. (Deartment of Physics, BIT, Ranchi, India) ,  Kumar Ashok (CSIR-National Physical Laboratory, New Delhi, India) ,  Pradhan Dhiren K. (Extreme Materials Initiative, Geophysical Laboratory, Carnegie Institution for Science, Washington DC, USA) ,  Das Piyush R. (Department of Physics, Veer Surendra Sai University of Technology, Sambalpur, Odisha, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 2  ページ： 156  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成GaFe_1-xSm_xO_3(x=0,0.05,0.10,0.15)を有するGaFeO_3の構造,誘電,マルチフェロイックおよび電気的性質に及ぼすSmドーピングの影響を調べた。XRDデータのRietveld精密化は単相斜方晶構造の形成を明らかにした。単位格子体積はSm含有量の増加とともに増加することが観察された。FESEM研究は,不規則な形状の粒子が表面全体に均一に分布していることを明らかにした。誘電プロットから,Sm含有量によるε_rとtanδの大きな変化が観察された。さらに,強誘電と磁気秩序の両方の共役存在を分極と磁化ヒステリシスループ測定により確認した。残留分極(P_r)は,研究した試料中のFeの原子価の変動に関連した欠陥によりSm含有量とともに減少した。また,残留磁化(M_r)はSm3+のより低い磁気モーメント(μ)によりSm含有量の増加と共に低下することが分かった。インピーダンス解析は,研究した材料における2種類の緩和の存在を示した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  インピーダンス ,  強誘電体 ,  磁気モーメント ,  *サマリウム ,  *鉄 ,  原子価 ,  *磁気 ,  *ドーピング ,  斜方晶系 ,  磁気秩序 ,  単相 ,  残留分極 ,  損失正接
準シソーラス用語： ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： XRD ,  FESEM ,  ヒステリシス ,  強誘電体 ,  磁気 ,  インピーダンス

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sm ,  ドープ ,  磁気 ,  電気特性