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J-GLOBAL ID:202202265429085233   整理番号:22A1047584

多様な光酸化還元変換をブースティングするための多孔質g-C_3N_4上の離散的に装飾したBiVO_4による電荷移動と運動挙動の調節【JST・京大機械翻訳】

Modulating charge migration and motion behaviors via discretely decorating BiVO4 on porous g-C3N4 for boosting multifarious photoredox conversion
著者 (11件):
資料名:
巻: 589  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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最近,ナノ複合材料光触媒が有機化合物の転換のための効率的でグリーンな技術として注目されている。しかし,限られた接触の場合,電荷の集中的な自己再結合は,光生成電荷が時間内に移動できないため,半導体の内部でまだ発生する。ここでは,多孔性g-C_3N_4の表面上にBiVO_4を離散的に修飾して一連のナノ複合材料を合成し,模擬太陽光照射下で芳香族ニトロ化合物と酸化有機化合物を水素化することを含む一連の光酸化還元性能によって,さらに良好な組合せとして認定した。さらに,光電流過渡動力学,電子寿命,および印加バイアス光対電流効率を含む豊富で明白なPEC研究を採用して,電荷の移動および運動挙動を直接観測し,その結果,このような離散修飾は寿命を長くし,他の対応物よりも光発生電荷の集中的な自発的再結合を避けるのに,より有益であり,また,移動および運動は著しく改善されることを示した。さらに,電子スピン共鳴(ESR)の結果は,作製直後のナノ複合材料が従来のII型機構よりも直接Zスキーム機構に従うことを示した。すべての結果は,半導体間の緊密で広範な接触が光レドックス性能を著しく高めることを明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学一般 

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