文献

J-GLOBAL ID：202202265558090626   整理番号：22A0731108

ステンレス鋼基板上の直接成長Nドープカーボンナノチューブからの電界放出増強【JST・京大機械翻訳】

Field emission enhancement from directly grown N-doped carbon nanotubes on stainless steel substrates

著者 (8件)： Huang Weijun (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Qian Weijin (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Luo Haijun (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Dong Mingliang (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Shao Hezhu (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Chen Yawei (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Liu Xingzhen (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China) ,  Dong Changkun (Wenzhou Key Lab of Micro-nano Optoelectronic Devices, Wenzhou University, Wenzhou, Zhejiang, 325035, People’s Republic of China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 198  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧での化学蒸着によってステンレス鋼(SS)基板上にNドープカーボンナノチューブ(NCNT)を直接成長させ,電界放出(FE)増強機構を研究した。NCNTエミッタのターンオンと閾値場は,それぞれ1.61と2.05Vμm-1であり,CNTエミッタからのものより低かった。改善されたFE特性は主に仕事関数の減少と表面抵抗に起因する。第一原理計算は,NCNTの仕事関数がNドーピング濃度に大きく依存することを示唆した。さらに,CNT中のNドーピングは,電界放出増強に利益を与えるNの周りの電荷凝集をもたらす。より重要なことに,CNTについては,放出電流は5.38×10-4Paの圧力で7hの連続放出後に28.6%低下し,一方,電流はNCNTsに対して8.35×10-4Paの圧力で7h試験後に5.8%だけ減少し,NCNTsが高圧でのイオン衝突に対してより良い抵抗を示すことを示唆した。研究は,容易に成長したNCNTsが実用的なFEカソードの開発に有望であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 凝集 ,  高圧 ,  仕事関数 ,  電荷 ,  *電界放出 ,  電流 ,  *ステンレス鋼 ,  表面抵抗 ,  ドーピング ,  イオン衝突 ,  化学蒸着 ,  ターンオン ,  カソード
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  放出電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Nドープカーボンナノチューブ ,  直接成長 ,  化学蒸着 ,  電界放出 ,  仕事関数 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ステンレス鋼 ,  成長 ,  電界放出 ,  増強