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J-GLOBAL ID：202202265595309642   整理番号：22A1035189

マイクロトレンチを有する基板上の加熱銅膜の流動プロファイルシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Flow Profile Simulation of Heated Copper Films on Substrates With Micro-Trenches

著者 (4件)： Hirasawa Shigeki (Hitachi Limited) ,  Saito Yoko (Hitachi Limited) ,  Saito Tatsuyuki (Hitachi Limited) ,  Yamaguchi Hizuru (Hitachi Limited)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE98  ページ： 181-188  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅膜は高密度電子デバイスを作製するためにシリコン基板上にサブミクロントレンチを充填することが重要である。本論文では,リフロープロセス中のシリコン基板上の溝における銅膜プロファイルの変化を,2次元および3次元解析により数値的に計算した。薄膜上の薄層における原子表面拡散のモデルからの結果は,実験結果と類似していた。膜プロファイルの変化と幾何学的パラメータの間の関係を決定した。その結果,溝の側壁上の一様で厚い初期膜が溝の膜ブリッジとボイド形成を避けるために重要であることを示した。溝への流量を増加させるために,トレンチの底に厚い初期膜を有する狭い溝が効果的である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  表面拡散 ,  流量 ,  *銅 ,  二次元
準シソーラス用語： 三次元解析 ,  シリコンウエハ ,  電子素子 ,  高密度 ,  幾何学的パラメータ ,  トレンチ ,  リフロー法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチ ,  銅 ,  流動 ,  プロファイル ,  シミュレーション