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J-GLOBAL ID：202202265709805933   整理番号：22A0286083

グラフェン/MoS_2 van der Waalsヘテロ構造の熱膨張係数に及ぼす不整合歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of misfit strain on the thermal expansion coefficient of graphene/MoS₂ van der Waals heterostructures

著者 (2件)： Zhang Run-Sen (Shanghai Key Laboratory of Mechanics in Energy Engineering, Shanghai Institute of Applied Mathematics and Mechanics, School of Mechanics and Engineering Science, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Jiang Jin-Wu
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 1  ページ： 156-162  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの構成原子層から継承されたそれらの高度な特性のため,グラフェン/MoS_2のようなvan der Waalsヘテロ構造は,多くの光学的および電子的応用に対する有望な候補である。しかし,ナノデバイスの動作中に熱が発生する傾向があるので,熱膨張はこのようなヘテロ構造の熱安定性を考慮する重要な現象である。本研究では,分子動力学シミュレーションを用いてグラフェン/MoS_2ヘテロ構造の熱膨張係数を調べ,避けられないミスフィット歪が如何に係数に影響するかを明らかにした。不整合歪は熱膨張係数を6倍調整し,この効果はヘテロ構造のサイズや方向に敏感でないという意味で非常にロバストである。さらなる解析は,ミスフィット歪が熱誘起リップルを工学的に加工する効率的手段を提供することを示し,これは不整合歪が熱膨張係数にいかに影響するかの鍵となる機構である。これらの知見から,van der Waalsヘテロ構造の熱安定性に関する貴重な情報が得られ,このようなヘテロ構造に基づくナノデバイスの実用化に役立つ。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *格子歪 ,  *熱膨張 ,  計算機シミュレーション ,  固体素子 ,  熱安定性 ,  *熱膨張係数 ,  *積層構造 ,  ミスフィット ,  ロバスト性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノデバイス ,  分子動力学シミュレーション ,  *不整合歪 ,  原子層 ,  *van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  熱膨張係数 ,  不整合歪