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J-GLOBAL ID：202202265924836636   整理番号：22A0707230

励起子支配超狭応答を有するGa_2O_3/GaNヘテロ構造紫外光検出器【JST・京大機械翻訳】

Ga₂O₃/GaN Heterostructural Ultraviolet Photodetectors with Exciton-Dominated Ultranarrow Response

著者 (13件)： Tang Ruifan (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Li Guanqi (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, P. R. China) ,  Jiang Ying (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Gao Na (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Li Jinchai (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Li Jinchai (Future Display Institue of Xiamen, P. R. China) ,  Li Cheng (School of Electronic Science and Engineering, Xiamen University, P. R. China) ,  Li Cheng (Future Display Institue of Xiamen, P. R. China) ,  Huang Kai (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Huang Kai (Future Display Institue of Xiamen, P. R. China) ,  Kang Junyong (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China) ,  Wang Tao (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Zhang Rong (Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 1  ページ： 188-196  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線光検出器は,例えば,ミサイル発射,追跡検出,環境モニタリングなどの広範囲の応用を実証した。この記事は,バイアス電圧と記録超狭帯域応答による可変同調マルチバンド検出を備えたGa_2O_3/GaNヘテロ構造に基づく紫外光検出器を提示した。特に,このスペクトル応答は,バイアスを調整することにより光検出器の空乏領域を調節することにより,紫外-Cから紫外-Aに調整できた。より高いバイアスの下で,363nmで~4nmの半値全幅を有する光応答を達成した。この超狭応答は2.58×103A/Wに達し,28Vバイアス下で(8.84×105)%の外部量子効率を示した。光ルミネセンス,光ルミネセンス励起,光吸収測定は,この超狭帯域検出性がGaN層中の電界増強励起子イオン化過程に起因することを示唆した。高い応答性はGa_2O_3とGaN層間の比較的大きな価電子帯オフセットから生じる光検出器の内部利得に起因する。本研究は,電気的同調性を有する高性能で多目的なマルチバンド紫外線光検出器の開発への有望なアプローチを提供する。また,安価な製造と容易なスケーラビリティの特徴が大量生産にとって特に魅力的であることを強調する価値がある。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *応答 ,  *紫外線 ,  電場 ,  *光検出器 ,  光ルミネセンス ,  *励起 ,  *励起子 ,  大量生産 ,  *素子構造 ,  利得 ,  価電子バンド ,  *窒化ガリウム ,  狭帯域 ,  FWHM
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ga_2O_3/GaNヘテロ構造 ,  紫外線光検出器 ,  調整可能なマルチバンド検出性 ,  超高応答性 ,  励起子支配 ,  超狭応答

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 励起子 ,  支配 ,  応答 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  紫外光 ,  検出器