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J-GLOBAL ID：202202265958323368   整理番号：22A0726530

プラスチックエレクトロニクスのための非対称チエニルビニル-1,1-ジシアノメチレン-3-インダノンに基づく伸縮性N型高性能重合体【JST・京大機械翻訳】

Stretchable N-Type High-Performance Polymers Based on Asymmetric Thienylvinyl-1,1-Dicyanomethylene-3-Indanone for Plastic Electronics

著者 (7件)： Cho Yongjoon (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Perovtronics Research Center, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Park Jongmin (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Republic of Korea) ,  Jeong Seonghun (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Perovtronics Research Center, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea) ,  Park Hayeong (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Republic of Korea) ,  Kim Hyun Wook (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Republic of Korea) ,  Oh Joon Hak (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Republic of Korea) ,  Yang Changduk (Department of Energy Engineering, School of Energy and Chemical Engineering, Perovtronics Research Center, Low Dimensional Carbon Materials Center, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Republic of Korea)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 34  号： 4  ページ： 1554-1566  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能n型半導体ポリマーを構築するための新しい電子受容性ビルディングブロックの開発は,種々の有機オプトエレクトロニクスデバイスにとって必須である。ここでは,新規に処方されたチエニルビニル-1,1-ジシアノメチレン-3-インダノン(TIC)電子受容性単量体を,シクロペンタジチオフェン(CDT)およびインダセノジチオフェン(IDT)共単量体と並んで,一連のn型低バンドギャップ重合体に取り込んだ。非対称TICの位置規則性の制御は,位置異性体高分子構造[半正則(s-PCDT-TICおよびs-PIDT-TIC)および位置ランダム(r-PCDT-TICおよびr-PIDT-TIC)]を生成した。位置化学制御とCDT対IDT反復ユニットの比較研究を行った。(i)CDT含有重合体は,IDT含有類似体と比較して赤方偏移吸収およびより高い吸収率を有した。(ii)様々な位置規則性はエネルギー準位よりも光学的特徴に影響する。(iii)全ての重合体は優れたnチャネル電界効果トランジスタを示し,それらの低秩序化結晶度にもかかわらず,1.0×10-2cm2V-1s-1より高い電子移動度を示した。(iv)ポリマーを有する伸縮性トランジスタは,外部歪の下で高い電子移動度の保持を達成できる。特に,r-PCDT-TICは100%の歪で95%の初期移動度を維持した。さらに,s-PCDT-TICに基づくn型近赤外有機フォトトランジスタは,838nmの波長で,それぞれ203AW-1,8.1×1012Jonesおよび2.42×104%の優れた光応答性,光検出性,および外部量子効率を示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *重合体 ,  赤方偏移 ,  トランジスタ ,  *プラスチック ,  波長 ,  *非対称性 ,  フォトトランジスタ ,  単量体 ,  結晶度 ,  近赤外線 ,  *電子技術 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ビルディングブロック ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラスチック ,  エレクトロニクス ,  非対称 ,  伸縮性 ,  重合体