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J-GLOBAL ID：202202266198856043   整理番号：22A0104911

電熱結合下の銅-スズ被覆の界面発展とホイスカ成長の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Molecular dynamics simulation of the interfacial evolution and whisker growth of copper-tin coating under electrothermal coupling

著者 (9件)： Zhang Long (Department of Theoretical and Applied Mechanics, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Xiong Dengjie (Department of Theoretical and Applied Mechanics, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Li Junfeng (Department of Theoretical and Applied Mechanics, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Yin Limeng (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Yao Zongxiang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Wang Gang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Zhang Liping (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Zhang Hehe (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, PR China) ,  Zhang Hehe (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 202  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛フリー電子素子の開発によって,スズホイスカの成長によって引き起こされる故障は,電子製品の信頼性に潜在的脅威をもたらす。本研究では,Baskesによって提案された修正埋込み原子ポテンシャルを用いて,分子動力学を用いて電熱結合下での銅とスズ被覆の界面発展とホイスカ成長をシミュレートした。数値結果は,電場強度と温度の増加がCu原子のSn原子への拡散を促進し,金属間化合物Cu_6Sn_5とCu_3Snが被覆界面で連続的に形成されることを示した。圧縮応力はコーティング中に形成され,ホイスカはスズ層表面上の酸化膜の弱い部分に成形される。電場強度と温度の増加はホイスカの成長を加速する。この条件は,電場強度または温度の増加が金属間化合物の形成を促進し,スズホイスカの成長に対する大きな駆動力を与えるためである。結果は,スズホイスカの成長機構のための理論的基礎を提供できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  金属間化合物 ,  信頼性 ,  *ホイスカ ,  *スズ ,  *銅 ,  *被覆 ,  酸化膜 ,  *スズめっき ,  *電気加熱 ,  圧縮応力 ,  *分子動力学 ,  駆動力 ,  電界強度
準シソーラス用語： *分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分子動力学 ,  界面進化 ,  スズホイスカ ,  電熱結合

分類 (3件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  接続部品  (NA05050Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電熱 ,  銅 ,  スズ被覆 ,  界面 ,  発展 ,  ホイスカ ,  成長 ,  分子動力学シミュレーション