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J-GLOBAL ID：202202266239356675   整理番号：22A0567468

AlN/Al/AlN三層薄膜におけるKondo効果と室温磁性の新しい共存の観測【JST・京大機械翻訳】

Observation of novel coexistence of Kondo effect and room temperature magnetism in AlN/Al/AlN trilayer thin film

著者 (8件)： Nath Deena (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu, 603104, India) ,  Nath Deena (University of Madras, Chennai, Tamil Nadu, 600005, India) ,  Chakravarty Sujay (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu, 603104, India) ,  Deshpade U.P. (UGC- DAE Consortium for Scientific Research, Khandwa Road, Indore, 452001, India) ,  Arasu A.V. Thanikai (Material Science Group, HBNI IGCAR, Kalpakkam, 603102, India) ,  Baskaran R. (Material Science Group, HBNI IGCAR, Kalpakkam, 603102, India) ,  Shekar N.V. Chandra (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu, 603104, India) ,  Shekar N.V. Chandra (Material Science Group, HBNI IGCAR, Kalpakkam, 603102, India)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 34  ページ： 122-132  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlN/Al/AlN三層薄膜における室温強磁性の共存によるKondo効果の異常な観察を報告した。成長した膜は,約48Kの温度で抵抗最小値を示し,磁場印加で低温側へシフトした。抵抗率のアップターンに対する様々な可能性を考慮した後,Kondo散乱が低温における上昇の原因であることを見出した。強磁性とKondo散乱の同時存在を,膜表面からAlサンドイッチ層への窒素空孔欠陥の空間変化によって説明した。さらに,異なる温度で測定した膜の磁気輸送特性は,キャリアと2バンドモデルのスピン散乱に対する局在磁気モーメントモデルによりそれぞれ記述される負と正成分の両方を示した。本研究は,結晶AlNにおける強磁性とKondo効果の新しい共存への洞察を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Kondo効果 ,  強磁性 ,  散乱 ,  磁場 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  結晶 ,  *アルミニウム ,  窒素 ,  局在磁気モーメント ,  *窒化アルミニウム ,  *磁性
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  室温強磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  スパッタリング ,  Kondo効果 ,  強磁性 ,  磁気抵抗

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  Al ,  薄膜 ,  Kondo効果 ,  室温 ,  磁性 ,  共存 ,  観測