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J-GLOBAL ID：202202266327474380   整理番号：22A0104711

相変化メモリ応用のためのSmドープGe_2Sb_2Te_5薄膜の熱安定性と結晶化機構の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement in thermal stability and crystallization mechanism of Sm doped Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ thin films for phase change memory applications

著者 (2件)： Kumar Sanjay (Department of Physics and Materials Science, Jaypee University of Information Technology, Waknaghat, Solan, H.P. 173234, India) ,  Sharma Vineet (Department of Physics and Materials Science, Jaypee University of Information Technology, Waknaghat, Solan, H.P. 173234, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 893  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sm-GSTの堆積したままの薄膜における化学結合の性質を調べるために,X線光電子分光法(XPS)を用いて,(Ge_2Sb_2Te_5)_100-xSm_x(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2)(Sm-GST)相変化材料の薄膜を調べた。Sm-GSTの堆積したままの薄膜の組成をXPSコアレベルスペクトルのピーク面積比から解析し,薄膜の形態を電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)を用いて調べた。蒸着したままの薄膜から得られた粉末試料を,10K/minの一定の加熱速度で非等温示差走査熱量測定(DSC)測定に利用した。Sm-GST薄膜のDSC曲線から得られたガラス転移温度(T_g),開始結晶化(T_c),ピーク結晶化温度(T_p)および融解温度(T_m)の値を,熱安定性パラメータの評価に用いた。Sm-GST薄膜のfccと六方晶相に対する結晶化の活性化エネルギー(E_c)とAvrami指数(n)をHenderson法とMatusita法を用いて評価した。蒸着したままの薄膜の熱安定性,ガラス形成能および結晶化活性化エネルギーに及ぼすSmドーピングの影響を検討し,メモリデバイス性能へのその可能な影響を相関させた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学結合 ,  活性化エネルギー ,  記憶装置 ,  *結晶化 ,  *相転移 ,  *薄膜 ,  粉体 ,  *サマリウム ,  ガラス転移点 ,  融点 ,  *ドーピング ,  晶出温度 ,  加熱速度 ,  示差走査熱量測定 ,  X線光電子分光法

著者キーワード (4件)： 相変化 ,  ガラス転移温度 ,  熱安定性 ,  結晶化

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  塩  (CD01050V) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相変化メモリ ,  応用 ,  Sm ,  ドープ ,  薄膜 ,  熱安定性 ,  結晶化